總體設(shè)計(jì)方案 設(shè)計(jì)依據(jù) 標(biāo)識(shí)的設(shè)計(jì)依據(jù)如下幾方面： 企業(yè)對(duì)表達(dá)其經(jīng)營(yíng)理念和定位的要求； 企業(yè)的人機(jī)信息交換流程（企業(yè)內(nèi)部的科室結(jié)構(gòu)，往來(lái)關(guān)系）； 企業(yè)的室內(nèi)外建筑環(huán)境條件；

標(biāo)識(shí)的表達(dá)方式； 標(biāo)識(shí)的效果評(píng)價(jià)（由企業(yè)方?jīng)Q定） 企業(yè)標(biāo)識(shí)導(dǎo)向分類(lèi)原理； 標(biāo)識(shí)設(shè)計(jì)的理論參考依據(jù)。 企業(yè)方（客戶(hù)方）可根據(jù)自身的情況與設(shè)計(jì)者交流，參照以往的工程案例，經(jīng)驗(yàn)和其他參考 資料，整合出一個(gè)概念，其中包括用材、用色、效果、成本、節(jié)能，售后維護(hù)等多方位考慮。PCB外層電路的蝕刻工藝在印制電路加工中﹐氨性蝕刻是一個(gè)較為精細(xì)和覆雜的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程,卻又是一項(xiàng)易于進(jìn)行的工作。 有了一個(gè)清晰的目標(biāo)就會(huì)使企業(yè)方（客戶(hù)），設(shè)計(jì)及承造方少走彎路程，效率顯著，并容易 使雙方能在一稿后即可進(jìn)入一個(gè)更高層面思考、論證方案。

這就要選擇容易 再生和補(bǔ)償, 而蝕刻速率又容易控制的蝕刻液, 并 選用能提供恒定的操作條件和能自動(dòng)控 制各種溶液參數(shù)的工藝和設(shè)備, 通過(guò)控制溶銅量、 PH 值、 溶液的濃度、 溫度及溶液流量 的均勻性（噴淋系統(tǒng)或噴嘴, 以至噴嘴的擺動(dòng)）等來(lái)實(shí)現(xiàn)蝕刻速率的一致性。 3. 提高基板表面的蝕刻速率的均勻性 基板的上下兩面以及板面上各部位的蝕刻的均勻性, 皆決定于板表面受到蝕刻劑流 量的均勻性所影響。在印制板的蝕刻過(guò)程中﹐隨著銅不斷地被溶解﹐當(dāng)溶解的比重不斷升高至超過(guò)一定的數(shù)值時(shí)﹐系統(tǒng)便會(huì)自動(dòng)補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液﹐使比重調(diào)整回合適的范圍。 在蝕刻的過(guò)程中﹐上下板面的蝕刻速率往往并不一致。 一般來(lái)說(shuō)﹐下板面的蝕刻速 率會(huì)高于上板面。

溫度的影響

蝕刻速率與溫度有著很大的關(guān)系, 蝕刻速率會(huì)隨著溫度升高而加快。 蝕刻液溫度低 于 40℃﹐蝕刻速率會(huì)很慢﹐而蝕刻速率過(guò)慢則會(huì)增大側(cè)蝕量﹐影響蝕刻質(zhì)量。我現(xiàn)在用的這個(gè)噴的挺厚的，但是曝光顯影以后還是很多漏板的地方。 當(dāng)溫度高于 60℃﹐蝕刻速率會(huì)明顯地增大, 但 NH3 的揮發(fā)量也大大地增加﹐導(dǎo)致環(huán)境污染并使蝕刻液中 化學(xué)組份比例失調(diào)。 故一般應(yīng)控制在 45℃~55℃為宜。

蝕刻液的調(diào)整

自動(dòng)控制調(diào)整 隨著蝕刻的進(jìn)行, 蝕刻液中銅的含量不斷增加﹐比重亦逐漸升高。 當(dāng)蝕刻液中銅濃 度達(dá)到一定的高度時(shí)就要及時(shí)調(diào)整。憑借Selectra系統(tǒng)的豐富功能，芯片制造商能夠生產(chǎn)出先進(jìn)的3D設(shè)備，并探索新的芯片結(jié)構(gòu)、材料和集成技術(shù)。 在自動(dòng)控制補(bǔ)加裝置中﹐是利用比重控制器來(lái)控制蝕 刻液的比重。 當(dāng)比重升高時(shí)﹐會(huì)自動(dòng)排放出溶液﹐并添加新的補(bǔ)加液﹐使蝕刻液的比重調(diào) 整到允許的范圍。 補(bǔ)加液要事先配制好并放入補(bǔ)加桶內(nèi)﹐使補(bǔ)加桶的液面保持在一定的高 度。