中諾新材采用高純化合物粉末為原料，通過(guò)常壓燒結(jié)法、真空熱壓法以及熱等靜壓法等工藝成型，經(jīng)過(guò)精密的機(jī)械加工工藝，制得晶粒細(xì)小、組織均勻、致密度高的高品質(zhì)陶瓷化合物靶材，被廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能光伏、平面顯示、玻璃鍍膜等領(lǐng)域。

中諾新材可根據(jù)您的需求，為您定制不同化合物，不同比例的摻雜靶材。通過(guò)球磨制粉，共沉積制粉，真空熱壓燒結(jié)，常壓燒結(jié)等工藝，可保證靶材摻雜比例準(zhǔn)確，摻雜相單一，致密度高。

背靶綁定服務(wù)

鑒于陶瓷靶材導(dǎo)熱性能不好、易裂的特點(diǎn)，我們建議陶瓷靶材綁定銅背靶。我們采用純銦焊料，高純度無(wú)氧銅背靶，進(jìn)行靶材綁定。綁定的靶材受熱均勻，導(dǎo)熱快，可降低靶材碎裂的可能性，提高靶材的使用壽命。

技術(shù)參數(shù)如下

工作溫度（℃） 150

綁定面積 100%全銦焊綁定

粘結(jié)層厚度（mm） 0.2±0.003

導(dǎo)熱系數(shù)（w/mk） 83

熱膨脹系數(shù)（K-1） 32.1x10-6

電阻率（ohm-cm） 8x10-6

高純的單晶硅是重要的半導(dǎo)體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半導(dǎo)體;摻入微量的第VA族元素，形成n型半導(dǎo)體。p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體結(jié)合在一起形成p-n結(jié)，就可做成太陽(yáng)能電池，將輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?。中諾新材具備堅(jiān)實(shí)的研發(fā)和生產(chǎn)能力，可以根據(jù)客戶的需求專業(yè)為您定制各種尺寸、不同純度的金屬、稀有金屬，特種合金、陶瓷靶材及蒸發(fā)鍍膜材料。在開發(fā)能源方面是一種很有前途的材料。另外廣泛應(yīng)用的二極管、三極管、晶閘管、場(chǎng)效應(yīng)管和各種集成電路(包括人們計(jì)算機(jī)內(nèi)的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。