公司奉行專業(yè)化 管理、規(guī)?；?jīng)營的企業(yè)理念，以認真、主動、嚴格的做事風格向用戶提 供高品質(zhì)、高性價比的金屬蝕刻片產(chǎn)品。 目前主要產(chǎn)品種類：精密蝕刻；蝕刻加工；金屬蝕刻；腐蝕金屬碼盤； 腐蝕加工 IC 導線架；不銹鋼蝕刻濾網(wǎng)；蝕刻加工喇叭網(wǎng)；腐蝕標牌；蝕刻蒸鍍 罩；蝕刻透光片；蝕刻工藝品；腐蝕透光片；腐蝕防塵網(wǎng)；蝕刻掩膜板；腐蝕 手機遮光片；蝕刻五金；蝕刻電阻片；腐蝕金屬手機配件；不銹鋼腐蝕加工； 腐蝕不銹鋼；無連接點品牌 LOGO；無連接點精密墊片；手機用金屬元件；在氨性蝕刻中﹐假定所有參數(shù)不變﹐那么蝕刻的速率將主要由蝕刻液中的氨（NH3）來決定。防盜 產(chǎn)品配件；打印機復印機配件；碼達配件；編碼器專用金屬碼盤；光電產(chǎn)品用 透光片；金屬工藝品；保健類產(chǎn)品金屬件；刮腳片；刨刀片等等精密零部件，

因 為突沿容易撕裂下來﹐在導線的兩點之間形成電的拆接。 影響側蝕的因素有很多﹐下面將概述幾點﹕ 蝕刻方式﹕ 浸泡和鼓泡式蝕刻會造成較大的側蝕﹐潑濺和噴淋式蝕刻的側蝕較小﹐尤以噴淋蝕 刻的效果很好。 蝕刻液的種類﹕ 不同的蝕刻液, 其化學組分不相同﹐蝕刻速率就不一樣﹐蝕刻系數(shù)也不一樣。 例如﹕酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為 3﹐而堿性氯化銅蝕刻系數(shù)可達到 4。 蝕刻速率﹕ 蝕刻速率慢會造成嚴重側蝕。隨著芯片結構日益精細，選擇性工藝可在不損傷芯片的前提下清除不需要的材料。 提高蝕刻質(zhì)量與加快蝕刻速率有很大的關系, 蝕刻速 度越快, 基板在蝕刻中停留的時間越短﹐側蝕量將越小﹐蝕刻出的圖形會更清晰整 齊。

氯化銨含量的影響 通過蝕刻再生的化學反應可以看出﹕﹝Cu(NH3)2﹞1+的再生需要有過量的 NH3 和 NH4CL 存在。 如果溶液中缺乏 NH4CL, 而使大量的﹝Cu(NH3)2﹞1+得不到再生﹐蝕刻速率就會降低 ﹐以至失去蝕刻能力。 所以﹐氯化銨的含量對蝕刻速率影響很大。 隨著蝕刻的進行﹐要不 斷補加氯化銨。 但是﹐溶液中 CL 含量過高會引起抗蝕層被浸蝕。在技術分為機械、化學和電化學方法等[1～4]，其中化學蝕刻具有工藝簡單、操作方便、精度高和生產(chǎn)成本低等優(yōu)點，適合于批量生產(chǎn)，蝕刻深度為20～200μm。 一般蝕刻液中 NH4CL 含 量應在 150g/L 左右。