半導體化合物材料

我們可提供半導體行業(yè)所需常用氧化物，硒化物，銻化物，硫化物，碲化物等。

氧化物: 氧化鋅 氧化銦 氧化鉍 氧化碲

硫化物: 硫化鋅 硫化鎢 硫化鉬 硫化錫 硫化銻 硫化鍺 硫化銀

硒化物: 硒化鋅 硒化鉍 硒化鍺 硒化鎘 硒化銻 硒化錫 硒化銦 硒化鎢

銻化物: 銻化鉍 銻化錫 銻化銦

碲化物: 碲化銅(CuTe) 碲化銦 InTe  碲化鋅(ZnTe) 三碲化二鉍(Bi2Te3)，二氧化碲(TeO2).  碲化銻 碲化鋅 碲化鍺

多元化合物: 銅銦硒 銅鋅錫硫 鍺銻碲

純度：99.99-99.9999

狀態(tài)：粉末 顆粒

可根據(jù)需求，定制不同比例的靶材

陶瓷化合物是指高純金屬材料的的碳、氮，氧，硫等的化合物，隨著陶瓷化合物材料在高性能陶瓷、發(fā)光材料、光學鍍膜等方向的研究不斷深入，其在電子半導體、太陽能光伏、光學器件、液晶顯示等領域的應用越來越廣泛。

中諾新材專業(yè)生產(chǎn)加工高純陶瓷化合物靶材，粉末，顆粒等，并可根據(jù)您的需求提供專業(yè)的定制服務。用于鍍制不同用途的導電膜，介質膜等

中諾新材可根據(jù)您的需求，為您定制不同化合物，不同比例的摻雜靶材。通過球磨制粉，共沉積制粉，真空熱壓燒結，常壓燒結等工藝，可保證靶材摻雜比例準確，摻雜相單一，致密度高。

部分定制靶材如下：

氧化銦錫 ITO In2O3:SnO2=90:10 wt%

氧化鋅鋁 AZO ZnO:Al2O3=98:2 wt%

銅銦硒 CIGS Cu:In:Ga:Se=1:0.7:0.3:2 at%

氧化鋅摻雜氧化鎂等

氧化銦鋅 IGZO In:Ga:Zn=2:2:1 at%

鈦鋯酸鉛 PZT Pb1.2Zr0.52Ti0.48O3

鍺銻碲 GST Ge:Sb:Te=2:2:5 at%