IS43TR16640A-15GBLI ISSI（芯成半導體） 原廠原裝 SDRAM-DDR3

生產商：ISSI（芯成半導體）

規(guī)格型號：IS43TR16640A-15GBLI

英文名稱：DDR3 SDRAM

中文名稱：三代雙倍數據率同步動態(tài)隨機存儲器

存儲格式：DRAM

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：FBGA-96

原廠包裝：托盤

零件狀態(tài)：批量生產

產品用途：汽車電子，臺式電腦，服務器，游戲機，物聯網設備，便攜式電腦，智能電視，網絡通信，人工智能，虛擬現實，增強現實，移動通信，工業(yè)控制，儀器儀表，安防監(jiān)控，移動終端。我司供應的產品包含ISSI（芯成半導體）的DRAM,NAND,NOR閃存,嵌入式存儲eMMC，eMCP等全系列存儲產品。

DDR3

DDR3內存采用8 bit 預取設計，較DDR2 4bit 的預取設計提升一倍，其運算頻率介于 800MHz -1600MHz之間。此外，DDR3 的規(guī)格要求將電壓控制在 1.5V ，較 DDR2 的 1.8V 更為省電，發(fā)熱量更小。此外，DDR3采用ASR(Automatic self-refresh) 的設計，以確保在數據不遺失情況下，盡量減少更新頻率來降低溫度。從整體規(guī)格上看，DDR3在設計思路上與DDR2的差別并不大，提高傳輸速率的方法仍然是提高預取位數。但是，就像DDR2和DDR的對比一樣，在相同的時鐘頻率下，DDR2與DDR3的數據帶寬是一樣的，只不過DDR3的速度提升潛力更大。

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