面對(duì)市場(chǎng)對(duì)精密蝕刻產(chǎn)品要求不斷提高，公司不斷引進(jìn)先進(jìn)技術(shù)、人才 和管理經(jīng)驗(yàn)， 組建了一支充滿實(shí)力的研發(fā)人員和管理人員隊(duì)伍。憑借Selectra系統(tǒng)的豐富功能，芯片制造商能夠生產(chǎn)出先進(jìn)的3D設(shè)備，并探索新的芯片結(jié)構(gòu)、材料和集成技術(shù)。 公司成立至今， 經(jīng)過多年努力開拓，已擁有多條進(jìn)口的高精密腐蝕生產(chǎn)線和超精密腐蝕生產(chǎn)線， 成長(zhǎng)為規(guī)?；髽I(yè)。目前，本公司加工生產(chǎn)的蝕刻片產(chǎn)品，以一流的產(chǎn)品質(zhì)量、 誠(chéng)信周到的售后服務(wù)，使公司深受廣大客戶信賴和贊譽(yù)。 深圳市林川精密科技有限公司本著： 完善 的質(zhì)量保障體系、合理的價(jià)格，真誠(chéng)為用戶提供專業(yè)的服務(wù)。

去邊（Edge bead removal-EBR）--去膠邊的過程，通常在涂膠后將溶劑噴在硅片的背面或前 邊沿上。如今的波美濃度是42度，有些太濃，咱們可以加水進(jìn)行稀釋，拌和均勻后，取樣從頭進(jìn)行測(cè)量。 前烘（Soft-bake）-- 在涂膠后用來去除膠溶劑的溫度步驟。 曝光-- 把涂膠后的硅片，暴露在某種形式的射線下，以在膠上產(chǎn)生隱約的圖像 的步驟。 PEB —曝光以后消除膠里的由襯底反射引起的膠里的駐波的溫度步驟。 顯影（Development）-- 在曝光以后分解膠產(chǎn)生掩膜圖案的過程。 后烘 (Hard-bake)—用來去除殘留溶劑，增加膠的沾著力和耐腐能力，在顯影后完成，可以包 括 DUV 固膠。

一、二槽酸液蝕刻 Glass 材料時(shí)設(shè)置的溫度、速度、需根據(jù)酸液的濃度及材料導(dǎo)電層附著力的強(qiáng)弱而調(diào)節(jié),以能完 全蝕刻、不短路為原則并配合堿段的參數(shù)； b.同時(shí)生產(chǎn)前需做首件檢測(cè)原材料方阻,方阻需在要求范圍之內(nèi)才可正常生產(chǎn)； c.兩槽酸液流量要適中范圍； d.如出現(xiàn)刻不斷等其它的現(xiàn)象時(shí)請(qǐng)優(yōu)先調(diào)整各階段的速度以 1.5 為基準(zhǔn)往上調(diào)或往下調(diào)； e.酸槽的速度必須小于不等于堿槽的速度。蝕刻工藝的一個(gè)普遍問題是在相同的時(shí)間里使全部板面都蝕刻干凈是很難做到的。 （2）堿洗、脫膜(Glass)