類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極 (BJT) - 單制造商ON Semiconductor系列-包裝 散裝 零件狀態(tài)在售晶體管類型PNP電流 - 集電極分立半導(dǎo)體（Ic）（最大值）500mA電壓 - 集射極擊穿（最大值）20V不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值）600mV @ 50mA，500mA電流 - 集電極截止（最大值）100nA（ICBO）不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）144 @ 50mA，1V功率 - 最大值625mW頻率 - 躍遷-工作溫度150°C（TJ）安裝類型通孔封裝/外殼TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA分立半導(dǎo)體）。分立半導(dǎo)體電子產(chǎn)品根據(jù)其導(dǎo)電性能分為"導(dǎo)體"和"絕緣體"半導(dǎo)體介于"導(dǎo)體"和"絕緣體"之間,半導(dǎo)體元器件以封裝形式又分為“分立”和“集成”如：二極管、三極管、晶體管等。分立半導(dǎo)體2010年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將較上年同期低迷的水平實(shí)現(xiàn)有史以來最大規(guī)模的增長(zhǎng)，這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長(zhǎng)。2010年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)2910億美元，同比增長(zhǎng)約30%；2011年規(guī)模為3079億美元，同比增長(zhǎng)5.8%。這一切要?dú)w功于殺手級(jí)產(chǎn)品，如智能手機(jī)、平板電腦、電子書及游戲機(jī)等終端電子產(chǎn)品的推動(dòng),以及實(shí)際上半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是受2008與2009年的兩年下降,而積聚的向上能量。全球DRAM市場(chǎng)總體供過于求狀況持續(xù)加劇，2011年全球DRAM市場(chǎng)位元產(chǎn)能將增長(zhǎng)58.7%，高于需求增速31.5個(gè)百分點(diǎn)，過剩產(chǎn)能占比達(dá)28.2%。中國(guó)2012年LED市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)605億元，2008-2012年年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)34%。至2015年LED芯片自給率將達(dá)70%。2010年1-11月國(guó)內(nèi)元器件各細(xì)分產(chǎn)品PCB、電容、電阻、電感器件、電聲器件、磁材料及器件、電接插元件出口同比增長(zhǎng)分別為32.74%、44.62%、41.30%、54.31%、36.04%、43.75%、39.59%。