FGH60N60SMD  IGBT 晶體管 介紹：

產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管

封裝 / 箱體: TO-247

安裝風(fēng)格: Through Hole

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V

集電極—射極飽和電壓: 1.9 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild  

柵極—射極漏泄電流: 400 nA  

產(chǎn)品類型: IGBT Transistors  

工廠包裝數(shù)量: 450  

子類別: IGBTs  

單位重量: 6.390 g  

FGH60N60SMD  IGBT 晶體管 新聞資料：

       在半導(dǎo)體場阻（FS）IGBTs提供最佳的性能與低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。這些IGBTs具有高電流處理能力、正溫度系數(shù)、參數(shù)分布緊密、安全工作范圍廣等特點(diǎn)。FS-igbt具有更高的擊穿電壓，提高了負(fù)環(huán)境溫度下的可靠性。隨著溫度的降低，IGBT和FRD的阻斷電壓也隨之降低，這使得這種器件特別適合在寒冷氣候下使用的光伏太陽能逆變器。這些igbt提供快速和軟恢復(fù)，降低功耗，實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗。

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FGH60N60SMD  IGBT 晶體管 產(chǎn)品圖片：