IS25LQ032B-JNLE 芯成半導(dǎo)體(ISSI)NOR閃存 原廠原裝

生產(chǎn)商：芯成半導(dǎo)體(ISSI)

型號(hào)規(guī)格：IS25LQ032B-JNLE

產(chǎn)品類別：NOR型閃存

存儲(chǔ)格式：閃存

存儲(chǔ)技術(shù)：FLASH-NOR

電壓-電源：2.7V ~ 3.6V

工作溫度：-40°C ~ 105°C

安裝類型：表面貼裝

原廠包裝：管裝

零件狀態(tài)：批量生產(chǎn)

產(chǎn)品用途：芯成半導(dǎo)體(ISSI)的NOR閃存芯片主要應(yīng)用于服務(wù)器，智能電視，視頻監(jiān)控，汽車電子，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，網(wǎng)絡(luò)機(jī)頂盒，通信設(shè)備，平板電腦等消費(fèi)類以及工業(yè)類電子設(shè)備，是全球第二大存儲(chǔ)器供應(yīng)商。我司供應(yīng)的產(chǎn)品包含ISSI的DRAM,NOR閃存,SRAM等全系列存儲(chǔ)產(chǎn)品。

NOR閃存的基本原理

NAND與NOR兩者在基本的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式和操作機(jī)理上都大致相同。閃存以單晶體管作為二進(jìn)制信號(hào)的存儲(chǔ)單元，它的結(jié)構(gòu)與普通的半導(dǎo)體晶體管(場(chǎng)效應(yīng)管)非常類似，區(qū)別在于閃存的晶體管加入了“浮動(dòng)?xùn)?floating gate)”和“控制柵(Control gate)”—前者用于貯存電子，表面被一層硅氧化物絕緣體所包覆，并通過(guò)電容與控制柵相耦合。當(dāng)負(fù)電子在控制柵的作用下被注入到浮動(dòng)?xùn)胖袝r(shí)，該NAND單晶體管的存儲(chǔ)狀態(tài)就由1變成0。相對(duì)來(lái)說(shuō)，當(dāng)負(fù)電子從浮動(dòng)?xùn)胖幸谱吆?，存?chǔ)狀態(tài)就由0變成1；而包覆在浮動(dòng)?xùn)疟砻娴慕^緣體的作用就是將內(nèi)部的電子“困住”，達(dá)到保存數(shù)據(jù)的目的。如果要寫(xiě)入數(shù)據(jù)，就必須將浮動(dòng)?xùn)胖械呢?fù)電子全部移走，令目標(biāo)存儲(chǔ)區(qū)域都處于1狀態(tài)，這樣只有遇到數(shù)據(jù)0時(shí)才發(fā)生寫(xiě)入動(dòng)作—但這個(gè)過(guò)程需要耗費(fèi)不短的時(shí)間，導(dǎo)致不管是NAND還是NOR型閃存，其寫(xiě)入速度總是慢于數(shù)據(jù)讀取的速度。雖然基本原理相同，但閃存可以有不同的電荷生成與存儲(chǔ)方案。其中應(yīng)用最廣泛的是“通道熱電子編程(Channel Hot Electron，CHE)”，該方法通過(guò)對(duì)控制柵施加高電壓，使傳導(dǎo)電子在電場(chǎng)的作用下突破絕緣體的屏障進(jìn)入到浮動(dòng)?xùn)艃?nèi)部，反之亦然，以此來(lái)完成寫(xiě)入或者抹除動(dòng)作；另一種方法被稱為“Fowler-Nordheim(FN)隧道效應(yīng)法”，它是直接在絕緣層兩側(cè)施加高電壓形成高強(qiáng)度電場(chǎng)，幫助電子穿越氧化層通道進(jìn)出浮動(dòng)?xùn)?。NOR閃存同時(shí)使用上述兩種方法，CHE用于數(shù)據(jù)寫(xiě)入，支持單字節(jié)或單字編程；FN法則用于擦除，但NOR不能單字節(jié)擦除，必須以塊為單位或?qū)φ瑓^(qū)域執(zhí)行擦除操作，由于擦除和編程速度慢、塊尺寸也較大，使得NOR閃存在擦除和編程操作中所花費(fèi)的時(shí)間很長(zhǎng)，無(wú)法勝任純數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和文件存儲(chǔ)之類的應(yīng)用，但它的優(yōu)點(diǎn)是可支持代碼本地直接運(yùn)行；其次，NOR閃存采用隨機(jī)存儲(chǔ)方式，設(shè)備可以直接存取任意區(qū)域的數(shù)據(jù)，因此NOR閃存底部有大量的信號(hào)引腳，且每個(gè)單晶體管都需要輔助讀寫(xiě)的邏輯，晶體管利用效率較低、容量不占優(yōu)勢(shì)。而NAND閃存采用FN法寫(xiě)入和擦除，且采用一種“頁(yè)面-塊”尋址的統(tǒng)一存儲(chǔ)方式，單晶體管的結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，存儲(chǔ)密度較高，擦除動(dòng)作很快，但缺陷在于讀出性能平平且不支持代碼本地執(zhí)行。另一個(gè)不可忽視的地方在于，NAND閃存很容易出現(xiàn)壞塊，制造商通過(guò)虛擬映射的方式將其屏蔽。但是，NOR型閃存理論擦寫(xiě)次數(shù)約為10萬(wàn)次，NAND型閃存理論擦寫(xiě)次數(shù)約為100萬(wàn)次，壽命上NAND型閃存要占優(yōu)勢(shì)。

NOR閃存特點(diǎn)

NOR型閃存更像內(nèi)存，有獨(dú)立的地址線和數(shù)據(jù)線，NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。

價(jià)格說(shuō)明

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