深圳友尚存儲(chǔ)科技有限公司
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主營(yíng)產(chǎn)品: DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ), SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ), NAND閃存, NOR閃存, eMCP嵌入式存儲(chǔ), eMMC嵌入式存儲(chǔ), FRAM鐵電存儲(chǔ), FLASH閃存, MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)
SD7DP28C-8G-閃迪NAND閃存-原裝現(xiàn)貨
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¥21.50
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所在地區(qū)
廣東省深圳市
SD7DP28C-8G SanDisk(閃迪)NAND閃存 原廠原裝
品牌:SanDisk(閃迪)
規(guī)格型號(hào):SD7DP28C-8G
英文名稱:NAND Flash
中文名稱:快閃存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)格式:NAND
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:FBGA
原廠包裝:托盤(pán)
零件狀態(tài):批量生產(chǎn)
NAND閃存概述
NAND閘高速緩存利用穿隧注入(Tunnel injection)寫(xiě)入,以及穿隧釋放(Tunnel release)抹除。NAND Flash在今天的U盤(pán)與多數(shù)儲(chǔ)存卡上都可看到。東芝在1989年發(fā)表了NAND Flash架構(gòu),這種存儲(chǔ)器的訪問(wèn)方式類似硬盤(pán)、儲(chǔ)存卡之類的區(qū)塊性存儲(chǔ)設(shè)備,每個(gè)區(qū)塊由數(shù)個(gè)頁(yè)所構(gòu)成。一般來(lái)說(shuō)這些頁(yè)的大小為512或2048或4096字節(jié)。在各個(gè)頁(yè)之間彼此的連接區(qū)域會(huì)有幾個(gè)字節(jié)(一般而言是數(shù)據(jù)大小的1/32),這些空間用于存儲(chǔ)錯(cuò)誤修正碼的校驗(yàn)和。
讀取與寫(xiě)入動(dòng)作可以以“頁(yè)”為單位偏移量進(jìn)行,抹除動(dòng)作只能以“區(qū)塊”為單位偏移量進(jìn)行。NAND Flash還有一項(xiàng)限制就是區(qū)塊內(nèi)的數(shù)據(jù)只能序列性的寫(xiě)入。操作次數(shù)(Number of Operations, NOPs)則代表“頁(yè)”可以被寫(xiě)入的次數(shù)。當(dāng)前MLC的NOPs是1;而SLC則是4。NAND Flash也需要由設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序軟件或分離的控制器芯片來(lái)進(jìn)行壞區(qū)管理,例如SD卡內(nèi)部便包含實(shí)行壞區(qū)管理與耗損平衡的電路。當(dāng)一個(gè)邏輯區(qū)被高端軟件訪問(wèn)時(shí),邏輯區(qū)對(duì)應(yīng)到實(shí)體區(qū)的工作則由驅(qū)動(dòng)程序或控制器進(jìn)行。
價(jià)格說(shuō)明
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