NT5TU64M8FE-BET NANYA（南亞） 原廠原裝

生產(chǎn)商：NANYA（南亞）

規(guī)格型號：NT5TU64M8FE-BET

英文名稱：DDR2 SDRAM

中文名稱：二代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器

存儲格式：DRAM

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：FBGA-

原廠包裝：托盤

零件狀態(tài)：批量生產(chǎn)

產(chǎn)品用途：汽車電子，臺式電腦，服務器，游戲機，物聯(lián)網(wǎng)設備，便攜式電腦，智能電視，網(wǎng)絡通信，人工智能，虛擬現(xiàn)實，增強現(xiàn)實，移動通信，工業(yè)控制，儀器儀表，安防監(jiān)控，移動終端。我司供應的產(chǎn)品包含NANYA（南亞）的DRAM,NAND,NOR閃存,嵌入式存儲eMMC，eMCP等全系列存儲產(chǎn)品。

DDR2

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術標準，它與上一代DDR內(nèi)存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預取）。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。此外，由于DDR2標準規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發(fā)展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發(fā)展，前端總線對內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢所趨。

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