BSO064N03S SOP8 MOS場(chǎng)效應(yīng)管
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BSO064N03S SOP8 MOS場(chǎng)效應(yīng)管
BSO064N03S SOP8 MOS場(chǎng)效應(yīng)管
BSO064N03S SOP8 MOS場(chǎng)效應(yīng)管

BSO064N03S-SOP8-MOS場(chǎng)效應(yīng)管

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聯(lián)系人 小琳/顏娜/小蔡

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發(fā)貨地 廣東省深圳市
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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
型號(hào) BSO064N03S
品牌 INFINEON
封裝 SOP8
批號(hào) 17+
起訂量 1
數(shù)量 10000
商品介紹

BSO064N03S BSO064N03S BSO064N03S BSO064N03S

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): GaN

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 12 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.56 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

高度: 1.75 mm  

長(zhǎng)度: 4.9 mm  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 3.9 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

下降時(shí)間: 5.8 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 5.8 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 29 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 6.7 ns  

零件號(hào)別名: BSO064N03SXT  

單位重量: 540 mg


制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): GaN

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 12 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.56 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

高度: 1.75 mm  

長(zhǎng)度: 4.9 mm  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 3.9 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

下降時(shí)間: 5.8 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 5.8 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 29 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 6.7 ns  

零件號(hào)別名: BSO064N03SXT  

單位重量: 540 mg




聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
聯(lián)系賣家 小琳/顏娜/小蔡 （QQ：611284370）
電話 钺钵钼钼-钻钶钹钴钴钵钻钴
手機(jī) 钳钶钼钹钻钷钶钻钶钷钷
傳真 钺钵钼钼-钸钸钻钻钶钹钶钺
地址 廣東省深圳市