BSO201SP H SOP8 MOS場效應管
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BSO201SP-H-SOP8-MOS場效應管

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钳钶钼钹钻钷钶钻钶钷钷

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深圳市安富世紀電子有限公司

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商品參數(shù)
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商品介紹
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型號 BSO201SP H
品牌 INFINEON
封裝 SOP8
批號 17+
起訂量 1
數(shù)量 10000
商品介紹

BSO201SP H  BSO201SP H  BSO201SP H  BSO201SP H

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細信息  

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V

Id-連續(xù)漏極電流: 14.9 A

Rds On-漏源導通電阻: 6.7 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 12 V

Qg-柵極電荷: - 88 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.75 mm  

長度: 4.9 mm  

系列: OptiMOS P  

晶體管類型: 1 P-Channel  

寬度: 3.9 mm  

商標: Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值: 40 S  

下降時間: 162 ns  

濕度敏感性: Yes  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 99 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關閉延遲時間: 99 ns  

典型接通延遲時間: 21 ns  

零件號別名: BSO201SPHXUMA1 BSO21SPHXT SP000613828  

單位重量: 540 mg


制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細信息  

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V

Id-連續(xù)漏極電流: 14.9 A

Rds On-漏源導通電阻: 6.7 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 12 V

Qg-柵極電荷: - 88 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.75 mm  

長度: 4.9 mm  

系列: OptiMOS P  

晶體管類型: 1 P-Channel  

寬度: 3.9 mm  

商標: Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值: 40 S  

下降時間: 162 ns  

濕度敏感性: Yes  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 99 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關閉延遲時間: 99 ns  

典型接通延遲時間: 21 ns  

零件號別名: BSO201SPHXUMA1 BSO21SPHXT SP000613828  

單位重量: 540 mg




聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市安富世紀電子有限公司
聯(lián)系賣家 小琳/顏娜/小蔡 (QQ:611284370)
電話 钺钵钼钼-钻钶钹钴钴钵钻钴
手機 钳钶钼钹钻钷钶钻钶钷钷
傳真 钺钵钼钼-钸钸钻钻钶钹钶钺
地址 廣東省深圳市