

深圳市安富世紀電子有限公司
主營產(chǎn)品: 安富世紀,只做原裝正品代理TI, AD, MAXIM, NS, INF, NXP, ST, ON, SIPEX等等 針對全世界客戶,原裝正品,現(xiàn)貨。
BSO201SP-H-SOP8-MOS場效應管
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¥0.10
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店鋪主推品 熱銷潛力款
钳钶钼钹钻钷钶钻钶钷钷
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深圳市安富世紀電子有限公司
店齡6年
企業(yè)認證
聯(lián)系人
小琳/顏娜/小蔡
聯(lián)系電話
钳钶钼钹钻钷钶钻钶钷钷
所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營產(chǎn)品
安富世紀,只做原裝正品代理TI, AD, MAXIM, NS, INF, NXP, ST, ON, SIPEX等等 針對全世界客戶,原裝正品,現(xiàn)貨。
BSO201SP H BSO201SP H BSO201SP H BSO201SP H
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 14.9 A
Rds On-漏源導通電阻: 6.7 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 12 V
Qg-柵極電荷: - 88 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
系列: OptiMOS P
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 3.9 mm
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 40 S
下降時間: 162 ns
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 99 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 99 ns
典型接通延遲時間: 21 ns
零件號別名: BSO201SPHXUMA1 BSO21SPHXT SP000613828
單位重量: 540 mg
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 14.9 A
Rds On-漏源導通電阻: 6.7 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 12 V
Qg-柵極電荷: - 88 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
系列: OptiMOS P
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 3.9 mm
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 40 S
下降時間: 162 ns
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 99 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 99 ns
典型接通延遲時間: 21 ns
零件號別名: BSO201SPHXUMA1 BSO21SPHXT SP000613828
單位重量: 540 mg
