BSO150N03 BSO150N03 BSO150N03 BSO150N03

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數(shù)量: 2 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 7.6 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 15 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.4 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

高度: 1.75 mm  

長(zhǎng)度: 4.9 mm  

晶體管類型: 2 N-Channel  

寬度: 3.9 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

下降時(shí)間: 4 ns  

濕度敏感性: Yes  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 4 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 21 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 5.3 ns  

零件號(hào)別名: BSO150N03XT  

單位重量: 540 mg

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數(shù)量: 2 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 7.6 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 15 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.4 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

高度: 1.75 mm  

長(zhǎng)度: 4.9 mm  

晶體管類型: 2 N-Channel  

寬度: 3.9 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

下降時(shí)間: 4 ns  

濕度敏感性: Yes  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 4 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 21 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 5.3 ns  

零件號(hào)別名: BSO150N03XT  

單位重量: 540 mg