總體設(shè)計方案 設(shè)計依據(jù) 標(biāo)識的設(shè)計依據(jù)如下幾方面： 企業(yè)對表達其經(jīng)營理念和定位的要求； 企業(yè)的人機信息交換流程（企業(yè)內(nèi)部的科室結(jié)構(gòu)，往來關(guān)系）； 企業(yè)的室內(nèi)外建筑環(huán)境條件；

標(biāo)識的表達方式； 標(biāo)識的效果評價（由企業(yè)方?jīng)Q定） 企業(yè)標(biāo)識導(dǎo)向分類原理； 標(biāo)識設(shè)計的理論參考依據(jù)。 企業(yè)方（客戶方）可根據(jù)自身的情況與設(shè)計者交流，參照以往的工程案例，經(jīng)驗和其他參考 資料，整合出一個概念，其中包括用材、用色、效果、成本、節(jié)能，售后維護等多方位考慮。5g/l，陰極電流密度50～60a/dm2，溫度55～60℃。 有了一個清晰的目標(biāo)就會使企業(yè)方（客戶），設(shè)計及承造方少走彎路程，效率顯著，并容易 使雙方能在一稿后即可進入一個更高層面思考、論證方案。

蝕刻是在光刻過的基片上可通過濕刻（wet etching）和干刻（dry etching）等方法將 阻擋層上的平面二維圖形加工成具有一定深度的立體結(jié)構(gòu)。選用適當(dāng)?shù)奈g刻劑，使 它對光膠、薄膜和基片材料的腐蝕速度不同，可以在薄膜或基片上產(chǎn)生所需的微結(jié) 構(gòu)。 ? 復(fù)雜的微結(jié)構(gòu)可通過多次重復(fù)薄膜沉積－光刻－蝕刻這三個工序來完成。由于電解蝕刻是在金屬導(dǎo)電的情況下形成蝕刻的，那么我們的產(chǎn)品在蝕刻下去有任何的深度時側(cè)面也將被蝕刻的，這樣很多精細(xì)圖案，精細(xì)文字將被蝕刻”爛“掉。微流控基片通過預(yù)處理，涂膠，前烘，曝光，顯影及堅膜，去膠等步驟后，材料上 呈現(xiàn)所需要的圖形，即通道網(wǎng)絡(luò)。 蓋板與微流控芯片基片的封接 ? 基片和蓋板封接后形成封閉的小池，可用來儲存試劑或安裝電極。

六、酸/堿體積比的檢驗方法： 開機運行到設(shè)定溫度后(約 15~20 分鐘),測試酸液及堿液的體積比,在規(guī)定范圍內(nèi)方可進行生產(chǎn)。3、試刻這臺精細(xì)搖晃蝕刻機傳送帶可以無級調(diào)速，沖刷工夫的長短可以在這里進行調(diào)整。 1．酸液 1）新配酸液和使用過的酸液的測定 a.將酸液稀釋 用吸量管吸取 10ml 酸液，放入 100ml 容量瓶中，然后加入純水至刻度處，蓋好玻璃塞，搖勻備用； b.測定酸液當(dāng)量體積 用吸量管吸取 10ml“a”之稀釋液，放入錐瓶中，加入純水 30ml 搖勻，再加入酚酞指示劑 1~3 滴并記下錐瓶 內(nèi)溶液的體積為 V1，再取氫氧化鈉（NaOH）標(biāo)準(zhǔn)溶液倒入滴管內(nèi)一般以 50ml 為基準(zhǔn)，然后緩慢滴入錐瓶中， 滴至粉紅色后搖勻一分鐘后不褪色為終點，計下此時錐瓶內(nèi)的數(shù)據(jù)為 V2，根據(jù)以下公式計算出溶液的體積