WM1001A實(shí)沸點(diǎn)蒸餾測(cè)試儀

1、測(cè)定樣品餾程：石腦油35~180℃，重芳烴80-350℃，烯烴碳五35~80℃等油品實(shí)沸點(diǎn)測(cè)定。

2、蒸餾分二段進(jìn)行：段為常壓蒸餾，切取初餾點(diǎn)到200℃的各個(gè)餾分；第二段為殘壓1.33 kPa左右的減壓蒸餾，切取200℃到395℃的各個(gè)餾分；

3、精餾柱理論板數(shù)15~17層，回流比為10:1，也可以設(shè)置全回流

4、操作實(shí)沸點(diǎn)切割溫度：室溫~350℃

5、最窄切割溫度為10℃

6、操作壓力1-760mmHg. 

 

執(zhí)行的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)

1、塔I系統(tǒng)嚴(yán)格遵守GB/T 17280—2009國家標(biāo)準(zhǔn)，在性能上等效于ASTM  D 2892 標(biāo)準(zhǔn).

2、塔II系統(tǒng)嚴(yán)格遵守GB/T 17475—1998國家標(biāo)準(zhǔn)，在性能上等效于ASTM  D 5236 標(biāo)準(zhǔn)

塔I系統(tǒng)：

塔I切割溫度：初餾～400℃。

塔I蒸餾塔具有15塊理論塔板。

塔I蒸餾柱：塔柱直徑Φ20mm，有效填料高度570mm。

塔I蒸餾釜容積：3L。

塔I主冷凝器冷凝面積：0.2m2。

塔I回流比比例分配時(shí)間任意可調(diào)。

塔I系統(tǒng)殘壓1 mmHg。

 

塔II系統(tǒng)：

塔II切割溫度：400～565℃

塔II蒸餾釜容積：3L。

塔II系統(tǒng)殘壓可穩(wěn)定到0.1mmHg以下。

 

循環(huán)加熱制冷系統(tǒng)：

低溫浴槽技術(shù)指標(biāo)：溫度范圍：－20～50℃；控溫精度：±1℃。

深冷浴槽技術(shù)指標(biāo)：溫度范圍：-58℃～常溫；控溫精度：±1℃。

恒溫浴槽技術(shù)指標(biāo)：溫度范圍：30～95℃；控溫精度：±1℃。