H9CCNNNBPTMLBR-NTM SK Hynix (海力士)LPDDR3  原廠原裝

生產(chǎn)商：SK Hynix

規(guī)格型號：H9CCNNNBPTMLBR-NTM

英文名稱：Low Power DDR3

中文名稱：三代低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器

存儲格式：DRAM

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：FBGA-

原廠包裝：托盤

零件狀態(tài)：批量生產(chǎn)

產(chǎn)品用途：LPDDR的全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，LPDDR是DDR的一種，又被稱為mDDR，意思就是是低功耗雙重數(shù)據(jù)比率，也就是一個標準，是實現(xiàn)低功耗指定的內(nèi)存同其他設(shè)備的數(shù)據(jù)交換標準，而且以低功耗和小體積著稱，專門用于移動式電子產(chǎn)品。而LPDDR3，就是lpddr的第三代，它的頻率更高、電壓更低的同時機器的延遲也在不斷變大，從而慢慢地改變了內(nèi)存的子系統(tǒng)。我司供應(yīng)的產(chǎn)品包含SAMSUNG(三星電子)的DRAM,NAND,NOR閃存,嵌入式存儲eMMC，eMCP等全系列存儲產(chǎn)品。

LPDDR3和LPDDR4的區(qū)別

LPDDR全稱是low power double data rate的縮寫，中文直譯是低功耗雙重數(shù)據(jù)比率，也就是實現(xiàn)低功耗指定的內(nèi)存同其他設(shè)備的數(shù)據(jù)交換標準，專門用于移動式電子產(chǎn)品。

目前市場上主流的是第三代，叫做LPDDR3，最新一代技術(shù)是LPDDR4。

1、帶寬更大：與LPDDR3相比，LPDDR4能夠帶來高達50%的性能提升。由于帶寬更大，“內(nèi)存敏感型”的游戲應(yīng)用、120fps慢動作視頻、以及2K或4K級別的視頻錄制將直接受益。當(dāng)運行一些大量占用RAM的應(yīng)用時，由于需要將大量數(shù)據(jù)在短時間內(nèi)存入RAM，此時LPDDR4的優(yōu)勢便可以體現(xiàn)出來。

2、功耗更低：值得一提的是，LPDDR4在提升了速度的同時，還將工作電壓降低到1.1V，而LPDDR3為1.2V，繼續(xù)增強了手機續(xù)航能力。

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