深圳市明銳微科技有限公司
主營產(chǎn)品: 標準/低功耗DRAM, NAND閃存, eMCP嵌入式存儲
SD5D14A-4G-閃迪NAND閃存-原裝現(xiàn)貨
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所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營產(chǎn)品
SD5D14A-4G SanDisk(閃迪)NAND閃存 原廠原裝
品牌:SanDisk(閃迪)
規(guī)格型號:SD5D14A-4G
英文名稱:NAND Flash
中文名稱:快閃存儲器
存儲格式:NAND
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:FBGA
原廠包裝:托盤
零件狀態(tài):批量生產(chǎn)
NAND閃存概述
NAND閘高速緩存利用穿隧注入(Tunnel injection)寫入,以及穿隧釋放(Tunnel release)抹除。NAND Flash在今天的U盤與多數(shù)儲存卡上都可看到。東芝在1989年發(fā)表了NAND Flash架構,這種存儲器的訪問方式類似硬盤、儲存卡之類的區(qū)塊性存儲設備,每個區(qū)塊由數(shù)個頁所構成。一般來說這些頁的大小為512或2048或4096字節(jié)。在各個頁之間彼此的連接區(qū)域會有幾個字節(jié)(一般而言是數(shù)據(jù)大小的1/32),這些空間用于存儲錯誤修正碼的校驗和。
讀取與寫入動作可以以“頁”為單位偏移量進行,抹除動作只能以“區(qū)塊”為單位偏移量進行。NAND Flash還有一項限制就是區(qū)塊內(nèi)的數(shù)據(jù)只能序列性的寫入。操作次數(shù)(Number of Operations, NOPs)則代表“頁”可以被寫入的次數(shù)。當前MLC的NOPs是1;而SLC則是4。NAND Flash也需要由設備驅動程序軟件或分離的控制器芯片來進行壞區(qū)管理,例如SD卡內(nèi)部便包含實行壞區(qū)管理與耗損平衡的電路。當一個邏輯區(qū)被高端軟件訪問時,邏輯區(qū)對應到實體區(qū)的工作則由驅動程序或控制器進行。
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