存儲器MT41J128M16JT-125:K
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產品種類: 動態(tài)隨機存取存儲器
封裝 FBGA-96
封裝: Tray
商標: Micron
安裝風格: SMD/SMT
濕度敏感性 Yes
產品類型: DRAM
數量 1368
數量 36000
商品介紹

構成存儲器的存儲介質,存儲元,它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元,然后再由許多存儲單元組成一個存儲器。一個存儲器包含許多存儲單元,每個存儲單元可存放一個字節(jié)(按字節(jié)編址)。每個存儲單元的位置都有一個編號,即地址,一般用十六進制表示。一個存儲器中所有存儲單元可存放數據的總和稱為它的存儲容量。假設一個存儲器的地址碼由20位二進制數(即5位十六進制數)組成,則可表示2的20次方,即1M個存儲單元地址。每個存儲單元存放一個字節(jié),則該存儲器的存儲容量為1MB。動態(tài)存儲器每片只有一條輸入數據線,而地址引腳只有8條。為了形成64K地址,必須在系統地址總線和芯片地址引線之間專門設計一個地址形成電路。使系統地址總線信號能分時地加到8個地址的引腳上,借助芯片內部的行鎖存器、列鎖存器和譯碼電路選定芯片內的存儲單元,鎖存信號也靠著外部地址電路產生。當要從DRAM芯片中讀出數據時,CPU首先將行地址加在A0-A7上,而后送出RAS鎖存信號,該信號的下降沿將地址鎖存在芯片內部。接著將列地址加到芯片的A0-A7上,再送CAS鎖存信號,也是在信號的下降沿將列地址鎖存在芯片內部。然后保持WE=1,則在CAS有效期間數據輸出并保持。由于電容不可能長期保持電荷不變,必須定時對動態(tài)存儲電路的各存儲單元執(zhí)行重讀操作,以保持電荷穩(wěn)定,這個過程稱為動態(tài)存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現的。首先應用可編程定時器8253的計數器1,每隔1⒌12μs產生一次DMA請求,該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應時,DMA控制器送出到刷新地址信號,對動態(tài)存儲器執(zhí)行讀操作,每讀一次刷新一行。



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公司名稱 深圳國芯威科技有限公司
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地址 廣東省深圳市