NT5CC128M8GN-FL NANYA(南亞)DDR3L存儲器 

主要參數(shù)

型號：NT5CC128M8GN-FL

生產(chǎn)商：NANYA(南亞)

產(chǎn)品類別：第三代低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器

系列：-

存儲格式：DRAM

存儲技術(shù)：SDRAM-DDR3L

存儲容量：1Gb （128M x 8）

存儲接口：并聯(lián)

SPEED(速度)：

時鐘頻率：-

寫入時間：-

訪問時間：-

電壓-電源：1.283V ~ 1.45V

工作溫度：0°C ~ 95°C（TC）

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：FBGA78

原廠包裝：卷帶

零件狀態(tài)：在售

應(yīng)用領(lǐng)域：汽車電子，臺式電腦，服務(wù)器，游戲機，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，便攜式電腦，智能電視，網(wǎng)絡(luò)通信，

                人工智能，虛擬現(xiàn)實，增強現(xiàn)實，移動通信，工業(yè)控制，儀器儀表，安防監(jiān)控，移動終端，

DDR3L SDRAM，第三代低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)存儲器，是一種電腦存儲器規(guī)格，  DDR3L內(nèi)存主要用于一些低功耗設(shè)備中比如為了盡量提升筆記本續(xù)航，就可以選用這種低電壓版DDR3L內(nèi)存。

DDR3L與DDR3功耗區(qū)別

標準的DDR3內(nèi)存采用1.5V工作電壓，而DDR3L內(nèi)存則采用的是1.35V工作電壓。

比如，一根4G DDR3L 1600筆記本內(nèi)存，要比DDR3節(jié)省2W功耗，如果組成雙通道將會節(jié)省4W功耗，簡單來說，DDR3和DDR3L內(nèi)存區(qū)別主要體現(xiàn)功耗和性能這兩個方面。

DDR3L與DDR3性能區(qū)別

DDR3L內(nèi)存功耗相比DDR3標準內(nèi)存低了15%，功耗的降低，自然會造成性能的下降。通過測試，DDR3L內(nèi)存性能要低于DDR3內(nèi)存，不過兩者差距并不算大。

價格說明

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