本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：SO-8 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：30 V Id-連續(xù)直流電流：21 A 漏源導(dǎo)通電阻：4.4 mOhms Vgs-克羅地亞-源極電壓：12 V Qg-萘甲酸：40 nC Pd-功率耗散：2.5 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：單 高度：1.75毫米 長度：4.9毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：3.9毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：4000 子類別：MOSFET 零件號別名：IRF7831TRPBF SP001563658 單位重量：540毫克 應(yīng)用領(lǐng)域 •用于網(wǎng)絡(luò)和計(jì)算系統(tǒng)的高頻負(fù)載點(diǎn)同步降壓轉(zhuǎn)換器。 好處 •VDS在4.5V VGS時非常低的RDS（on） •超低門阻抗 •全面表征雪崩電壓和電流 •100％經(jīng)過RG測試 •無鉛 最大絕對額定值 Parameter Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage 30 V VGS Gate-to-Source Voltage ± 12 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 21 A ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 17 IDM Pulsed Drain Current G) 170 PD @TA = 25°C Power Dissipation ® 2.5 W PD @TA = 70°C Power Dissipation ® 1.6 Linear Derating Factor 0.02 W/°C TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C 熱阻 Parameter Typ. Max. Units RqJL Junction-to-Drain Lead ––– 20 °C/W RqJA Junction-to-Ambient ® ––– 50 雪崩特性 Parameter Typ. Max. Units EAS Single Pulse Avalanche Energy Q) ––– 100 mJ IAR Avalanche Current CD ––– 16 A Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current (Body Diode) ––– ––– 2.5 A MOSFET symbol showing the integral reverse p-n junction diode. ISM Pulsed Source Current (Body Diode) CD ––– ––– 170 VSD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.2 V TJ = 25°C, IS = 16A, VGS = 0V Q) trr Reverse Recovery Time ––– 42 62 ns TJ = 25°C, IF = 16A, VDD = 25V di/dt = 100A/μs Q) Qrr Reverse Recovery Charge ––– 31 47 nC ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)