本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：SO-8 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：2頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：20 V Id-連續(xù)直流電流：8.9 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：21.6毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Vgs th-柵源極閾值電壓：2.5 V Qg-萘甲酸：4.9 nC 最小工作溫度：-55°C 最大工作溫度：+ 150 C Pd-功率耗散：2 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：雙 高度：1.75毫米 長(zhǎng)度：4.9毫米 晶體管類(lèi)型：2 N溝道 寬度：3.9毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 正向跨導(dǎo)-預(yù)期：12 S 下降時(shí)間：3.6 ns 產(chǎn)品類(lèi)型：MOSFET 上升時(shí)間：12 ns 工廠包裝數(shù)量：4000 子類(lèi)別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：7.1 ns 典型起始延遲時(shí)間：6 ns 零件號(hào)別名：IRF8915TRPBF SP001554494 單位重量：506.600毫克 應(yīng)用領(lǐng)域 •用于臺(tái)式機(jī)，服務(wù)器，圖形卡，游戲機(jī)和機(jī)頂盒中的POL轉(zhuǎn)換器的雙SO-8 MOSFET •無(wú)鉛 好處 •超低門(mén)阻抗 •RDS非常低（開(kāi)） •完全表征的雪崩電壓和電流 最大絕對(duì)額定值 Parameter Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage 20 V VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 8.9 A ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 7.1 IDM Pulsed Drain Current CD 71 PD @TA = 25°C Power Dissipation 2.0 W PD @TA = 70°C Power Dissipation 1.3 Linear Derating Factor 0.016 W/°C TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C 熱阻 Parameter Typ. Max. Units RqJL Junction-to-Drain Lead ––– 42 °C/W RqJA Junction-to-Ambient © ––– 62.5