本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：通孔 封裝/箱體：TO-220-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：100 V Id-連續(xù)直流電流：36 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：26.5毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-血漿甲醛：42 nC Pd-功率耗散：92 W 封裝：Tube 配置：?jiǎn)?高度：15.65毫米 長(zhǎng)度：10毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：4.4毫米 商標(biāo)：Infineon Technologies 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：1000 子類別：MOSFET 零件號(hào)別名：IRF540ZPBF SP001561896 單位重量：6 g 特征 先進(jìn)的工藝技術(shù) 超低導(dǎo)通電阻 175°C工作溫度 快速切換 重復(fù)雪崩允許最大Tjmax 無(wú)鉛 描述 該HEXFET®功率MOSFET采用了最新的 這些處理技術(shù)可實(shí)現(xiàn)每硅面積極低的導(dǎo)通電阻。 該設(shè)計(jì)的附加功能是175°C的結(jié)溫，快速的開(kāi) 關(guān)速度和提高的重復(fù)雪崩額定值。這些功能相 結(jié)合使該設(shè)計(jì)成為一種極其有效和可靠的器件， 可廣泛用于各種應(yīng)用中。 最大絕對(duì)額定值 Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 36 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 25 IDM Pulsed Drain Current CD 140 PD @TC = 25°C Power Dissipation 92 W Linear Derating Factor 0.61 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS (Thermally limited) Single Pulse Avalanche EnergyG) 83 mJ EAS (Tested ) Single Pulse Avalanche Energy Tested Value ® 120 IAR Avalanche Current CD See Fig.12a, 12b, 15, 16 A EAR Repetitive Avalanche Energy @ mJ TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting Torque, 6-32 or M3 screw 0 10 lbf•in (1.1N•m)