本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細信息 技術(shù)：Si 安裝風格：SMD / SMT 封裝/箱體：TO-252-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：55 V Id-連續(xù)直流電流：56 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：16毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-萘甲酸：70 nC 最小工作溫度：-55 C 最大工作溫度：+ 175 C Pd-功率耗散：110 W 通道模式：增強 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：單 高度：2.3毫米 長度：6.5毫米 晶體管類型：1 N溝道 類型：HEXFET功率MOSFET 寬度：6.22毫米 商標：Infineon / IR 下降時間：78 ns 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時間：130 ns 工廠包裝數(shù)量：2000 子類別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時間：55 ns 典型起始延遲時間：15 ns 零件號別名：IRFR2405TRPBF SP001555036 單位重量：550毫克 特征 •表面貼裝（IRFR2405） •直引線（IRFU2405） •先進的工藝技術(shù) •動態(tài)dv / dt評級 •快速切換 •完全雪崩等級 •無鉛 描述 來自國際整流器公司的第七代HEXFET®功率MOSFET 利用先進的處理技術(shù)，使每個硅面積的導(dǎo)通電阻極低。 這項優(yōu)勢與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關(guān) 速度和堅固耐用的器件設(shè)計相結(jié)合，為設(shè)計人員提供 了一種非常有效和可靠的器件，可廣泛用于各種應(yīng)用中。 D-Pak專為使用氣相，紅外或波峰焊技術(shù)進行表面安裝 而設(shè)計。 直引線版本（IRFU系列）用于通孔安裝應(yīng)用。 在典型的表面貼裝應(yīng)用中，功耗可能高達1.5瓦。 最大絕對額定值 Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 56® A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 40® IDM Pulsed Drain Current CD 220 PD @TC = 25°C Power Dissipation 110 W Linear Derating Factor 0.71 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS Single Pulse Avalanche Energy0 130 mJ IAR Avalanche CurrentCD 34 A EAR Repetitive Avalanche EnergyCD 11 mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt a> 5.0 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case )