本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。

制造商：Infineon
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：詳細(xì)信息
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：SMD / SMT
封裝/箱體：Micro-8
晶體管極性：N溝道，P溝道
通道數(shù)量：2頻道
Vds-漏源極擊穿電壓：30 V
Id-連續(xù)直流電流：2.7 A
Rds漏源導(dǎo)通電阻：200毫歐
Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V
Qg-血漿甲醛：7.8 nC，7.5 nC
最小工作溫度：-55 C
最大工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散：1.25 W
通道模式：增強(qiáng)
封裝：剪切帶
封裝：MouseReel
封裝：Reel
配置：雙
高度：1.11毫米
長(zhǎng)度：3 mm
晶體管類型：1 N通道，1 P通道
寬度：3毫米
商標(biāo)：Infineon / IR
正向跨導(dǎo)-應(yīng)力：1.9 S，0.92 S
下降時(shí)間：5.3 ns，9.3 ns
產(chǎn)品類型：MOSFET
上升時(shí)間：10 ns，12 ns
工廠包裝數(shù)量：4000
子類別：MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：12 ns，19 ns
典型起始延遲時(shí)間：4.7 ns，9.7 ns
零件號(hào)別名：IRF7509TRPBF SP001570444
單位重量：25.540毫克
特征
•第五代技術(shù)
•超低導(dǎo)通電阻
•雙N和P溝道MOSFET
•非常小的SOIC封裝
•薄型（<1.1mm）
•提供卷帶包裝
•快速切換
•無(wú)鉛

描述

國(guó)際整流器公司的第五代HEXFET采用先進(jìn)的處理技術(shù)，

以實(shí)現(xiàn)極低的每硅面積導(dǎo)通電阻。 這項(xiàng)優(yōu)勢(shì)與HEXFET

功率MOSFET眾所周知的快速開(kāi)關(guān)速度和堅(jiān)固耐用的器

件設(shè)計(jì)相結(jié)合，為設(shè)計(jì)人員提供了一種非常有效和可

靠的器件，可廣泛用于各種應(yīng)用中。
新的Micro8封裝具有標(biāo)準(zhǔn)SO-8占地面積的一半，在SOIC

外形中提供了最小的占位面積。 這使得Micro8成為印

刷電路板空間非常寶貴的應(yīng)用的理想設(shè)備。 Micro8的

薄型（<1.1mm）將使其易于安裝在極薄的應(yīng)用環(huán)境

中，例如便攜式電子設(shè)備和PCMCIA卡。