SITime有源硅晶振

SITime有源硅晶振 

簡(jiǎn)介：SiTime MEMS硅晶振是一種采用半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝制程，將先進(jìn)的MEMS微機(jī)電系統(tǒng)與CMOS電路技術(shù)相結(jié)合的高性能全硅時(shí)鐘頻率元件，徹底解決有人工大量參與生產(chǎn)的石英振蕩器穩(wěn)定性不高，頻率有限，尺寸較大，品質(zhì)一致性差，易停振、不起振、溫漂大、備貨時(shí)間長(zhǎng)，并且受材料特性限制產(chǎn)能等一系列問題。揚(yáng)興科技是SiTime晶振亞洲區(qū)一級(jí)代理商，亦是中國可編程晶振廠家；實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化機(jī)器編程，是國內(nèi)擁有快速編程的晶振制造商，一小時(shí)量產(chǎn)千片級(jí)別以上的有源晶振，大批量1-2天快速交付，質(zhì)量終身質(zhì)保。
 
SiTime晶振產(chǎn)品特點(diǎn)：可編程、頻率豐富、精度高、溫飄低、全溫性、體積小、耐沖擊、軍工級(jí)別晶振。

SITime有源硅晶振 SiT9121差分晶振特點(diǎn)：

*超高性能差分振蕩器
*可編程頻率精度達(dá)到小數(shù)點(diǎn)后六為。確保發(fā)揮系統(tǒng)的性能
*僅500飛秒RMS相位抖動(dòng)（12khz至20mhz），滿足SONET等應(yīng)用的苛刻要求
*通過50000G強(qiáng)振及70G微振測(cè)試
*MTBF（平均無故障時(shí)間）達(dá)5億小時(shí)

SITime有源硅晶振 SiT9121差分晶振主要參數(shù)：

頻率范圍：1-220mhz
頻差：±10、±25、±50PPM
老化：±1PPM/年
溫度范圍：-20~+70℃ -40~+85℃
電壓：2.5、3.3V
功耗：61mA
輸出模式：LVPECL、LVDS
體積：7050、5032

SITime有源硅晶振 SiT9121差分晶振適用范圍：

高穩(wěn)定度應(yīng)用，適于高性能電信、存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域，如：核心和邊緣路由器、SATA、光纖通道主機(jī)總線適配器、云儲(chǔ)存、服務(wù)器、無限基站和10G以太網(wǎng)交換機(jī)等。