本公司營ADI亞德諾、ST意法半導體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產品種類：MOSFET RoHS：詳細信息 技術：Si 安裝風格：SMD / SMT 封裝/箱體：SO-8 晶體管極性：P-Channel 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：20 V Id-連續(xù)直流電流：5.3 A Rds漏源導通電阻：100毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：12 V Qg-萘甲酸：25 nC Pd-功率耗散：2.5 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：單 高度：1.75毫米 長度：4.9毫米 晶體管類型：1 P通道 寬度：3.9毫米 商標：Infineon / IR 產品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：4000 子類別：MOSFET 零件號別名：IRF7204TRPBF SP001551198 單位重量：540毫克 特征 •先進的工藝技術 •超低導通電阻 •P溝道MOSFET •表面貼裝 •提供卷帶包裝 •動態(tài)dv / dt評級 •快速切換 •無鉛 描述 來自國際整流器公司的第四代HEXFET采用先進的處理技術，以實現(xiàn)每個硅面積上可能的最低導通電阻。這種優(yōu)勢與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關速度和堅固耐用的器件設計相結合，為設計人員提供了一種非常有效的器件，可廣泛用于各種應用中。 SO-8已通過定制的引線框架進行了修改，以增強熱特性和雙管芯功能，使其成為各種電源應用的理想選擇。通過這些改進，可以在一塊板子空間大大減少的應用中使用多種設備。該封裝設計用于氣相，紅外或波峰焊技術。在典型的PCB安裝應用中，功耗可能大于0.8W。 最大絕對額定值 Parameter Max. Units ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V -5.3 A ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V -4.2 IDM Pulsed Drain Current CD -21 PD @TC = 25°C Power Dissipation 2.5 W Linear Derating Factor 0.020 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage 士 1 V dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt 0 -1.7 V/nS TJ, TSTG Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C