本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：TSOP-6 晶體管極性：P-Channel 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：40 V Id-連續(xù)直流電流：3.4 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：190毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-萘甲酸：25 nC Pd-功率耗散：1.3 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：單 高度：1.1毫米 長度：3 mm 晶體管類型：1 P通道 寬度：1.5毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：3000 子類別：MOSFET 零件號別名：IRF5803TRPBF SP001564566 單位重量：20毫克 特征 超低導(dǎo)通電阻 P溝道MOSFET 表面貼裝 提供卷帶包裝 收費低 無鉛 不含鹵素 描述 這些來自國際整流器公司（International Rectifier） 的P溝道HEXFET®功率MOSFET利用先進(jìn)的處理技 術(shù)來實現(xiàn)每硅面積的極低導(dǎo)通電阻。 這一好處為 設(shè)計人員提供了一種非常高效的設(shè)備，可用于電池和負(fù)載管理應(yīng)用。 TSOP-6封裝及其定制的引線框架可生產(chǎn)HEXFET® 功率MSFET，其RDS（on）比類似尺寸的SOT-23 小60％。 該封裝非常適合印刷電路板空間非常寶貴 的應(yīng)用。 與SOT-23相比，它獨特的散熱設(shè)計和RDS （on）降低使電流處理能力提高了近300％。 最大絕對額定值 Symbol Parameter Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage -40 V ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V - 3.4 A ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -2.7 IDM Pulsed Drain Current  - 27 PD @TA= 25°C Maximum Power Dissipation ƒ 2.0 W PD @TA= 70°C Maximum Power Dissipation ƒ 1.3 Linear Derating Factor 16 mW/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C