NT5CB256M16DP-DI NANYA（南亞）DDR3存儲芯片 原廠原裝

生產(chǎn)商：NANYA（南亞）

產(chǎn)品類別：第三代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器

系列：-

存儲格式：DRAM

存儲技術(shù)：SDRAM-DDR3

存儲容量：4Gb

存儲接口：并聯(lián)

SPEED(速度)：-

時鐘頻率：-

寫入時間：-

訪問時間：-

電壓-電源：1.5V

工作溫度：0°C ~ 95°C（TC）

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：FBGA-96

原廠包裝：托盤

零件狀態(tài)：在售

產(chǎn)品用途：NANYA（南亞）的DDR3存儲芯片主要應(yīng)用于服務(wù)器，智能電視，視頻監(jiān)控，汽車電子，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，網(wǎng)絡(luò)機(jī)頂盒，通信設(shè)備，平板電腦等消費(fèi)類以及工業(yè)類電子設(shè)備。我司供應(yīng)的產(chǎn)品包含NANYA（南亞）的DRAM,NAND,NOR閃存,嵌入式存儲eMMC，eMCP等全系列存儲產(chǎn)品。

DDR3 SDRAM（Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory）第三代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)存儲器，是一種電腦存儲器規(guī)格。它屬于SDRAM家族的存儲器產(chǎn)品，提供相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行性能與更低的功。DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì)，目的就是為了應(yīng)對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。封裝方面（Packages）DDR3由于新增了一些功能，所以在引腳方面有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規(guī)格。并且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質(zhì)。關(guān)于突發(fā)長度（BL，Burst Length）由于DDR3的預(yù)取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（BL，Burst Length）也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。在尋址時序方面（Timing）就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設(shè)計(jì)也有所變化。DDR2時AL的范圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項(xiàng)，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數(shù)——寫入延遲（CWD），這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。 從環(huán)保角度去看，降低功耗對業(yè)界是有著實(shí)實(shí)在在的貢獻(xiàn)的，全球的PC每年的耗電量相當(dāng)驚人，即使是每臺PC減低1W的幅度，它的省電量都是非?？捎^的。DDR3內(nèi)存在達(dá)到高帶寬的同時，其功耗反而可以降低，其核心工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，相關(guān)數(shù)據(jù)預(yù)測DDR3將比現(xiàn)時DDR2節(jié)省30%的功耗，當(dāng)然發(fā)熱量我們也不需要擔(dān)心。就帶寬和功耗之間作個平衡，對比現(xiàn)有的DDR2-800產(chǎn)品，DDR3-800、1066及1333的功耗比分別為0.72X、0.83X及0.95X，不但內(nèi)存帶寬大幅提升，功耗表現(xiàn)也比DDR2更好。

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