IRF200P223 MOSFET -進口原裝現(xiàn)貨
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IRF200P223 MOSFET -進口原裝現(xiàn)貨

IRF200P223-MOSFET--進口原裝現(xiàn)貨

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商品介紹
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聯(lián)系方式
型號 IRF200P223
品牌 IR
封裝 TO-247
環(huán)保類別 無鉛環(huán)保型
安裝方式 直插式
包裝方式 卷帶編帶包裝
數(shù)量 10000
商品介紹
本公司營ADI亞德諾、ST意法半導體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS:詳細信息 技術(shù):Si 安裝風格:通孔 封裝/箱體:TO-247AC-3 晶體管極性:N溝道 MOSFET通道數(shù)量:1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓:200 V Id-連續(xù)直流電流:100 A Rds上漏源導通電阻:11.5毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓:20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-血漿甲醛:102 nC 最小工作溫度:-55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:313 W 通道模式:增強 商標名:StrongIRFET 封裝:Tube 配置:單 晶體管類型:1 N溝道 商標:Infineon Technologies 正向跨導-預期:93 S 下降時間:62 ns 濕度敏感性:是 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:66 ns 工廠包裝數(shù)量:400 子類別:MOSFET 典型關(guān)閉延遲時間:55 ns 典型起始延遲時間:16 ns 零件號別名:IRF200P223 SP001582440 單位重量:6 g 應用領(lǐng)域 UPS和逆變器應用 半橋和全橋拓撲 諧振模式電源 DC/ DC和AC / DC轉(zhuǎn)換器 ORing和冗余電源開關(guān) 有刷和BLDC電機驅(qū)動器應用 電池供電電路 好處 改進了Gate,雪崩和動態(tài)dv / dt堅固性 完全表征的電容和雪崩SOA 增強體二極管dv / dt和di / dt能力 無鉛 符合RoHS標準; 無鹵素 最大絕對額定值 Parameter Symbol Conditions Values Unit Continuous Drain Current ID TC = 25°C, VGS @ 10V 100 A Continuous Drain Current ID TC = 100°C, VGS @ 10V 71 Pulsed Drain Current  IDM TC = 25°C 400 Maximum Power Dissipation PD TC = 25°C 313 W Linear Derating Factor TC = 25°C 2.1 W/°C Gate-to-Source Voltage VGS - ± 20 V Operating Junction and Storage Temperature Range TJ TSTG - -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) - - 300 Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw - - 10 lbf·in (1.1 N·m) -
聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市凱斯宇科技有限公司
聯(lián)系賣家 廖巧仙 (QQ:956867351)
電話 憧憥憤憤-憦憭憬憧憫憤憩憪
手機 憩憭憫憦憬憫憪憬憭憬憨
傳真 憧憥憤憤-憬憦憦憪憬憦憩憩
網(wǎng)址 http://www.szksykj.com/
地址 廣東省深圳市