本公司營ADI亞德諾、ST意法半導體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細信息 技術(shù)：Si 安裝風格：通孔 封裝/箱體：TO-247AC-3 晶體管極性：N溝道 MOSFET通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：200 V Id-連續(xù)直流電流：100 A Rds上漏源導通電阻：11.5毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Vgs th-柵源極閾值電壓：2 V Qg-血漿甲醛：102 nC 最小工作溫度：-55 C 最大工作溫度：+ 175 C Pd-功率耗散：313 W 通道模式：增強 商標名：StrongIRFET 封裝：Tube 配置：單 晶體管類型：1 N溝道 商標：Infineon Technologies 正向跨導-預期：93 S 下降時間：62 ns 濕度敏感性：是 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時間：66 ns 工廠包裝數(shù)量：400 子類別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時間：55 ns 典型起始延遲時間：16 ns 零件號別名：IRF200P223 SP001582440 單位重量：6 g 應用領(lǐng)域 UPS和逆變器應用 半橋和全橋拓撲 諧振模式電源 DC/ DC和AC / DC轉(zhuǎn)換器 ORing和冗余電源開關(guān) 有刷和BLDC電機驅(qū)動器應用 電池供電電路 好處 改進了Gate，雪崩和動態(tài)dv / dt堅固性 完全表征的電容和雪崩SOA 增強體二極管dv / dt和di / dt能力 無鉛 符合RoHS標準; 無鹵素 最大絕對額定值 Parameter Symbol Conditions Values Unit Continuous Drain Current ID TC = 25°C, VGS @ 10V 100 A Continuous Drain Current ID TC = 100°C, VGS @ 10V 71 Pulsed Drain Current  IDM TC = 25°C 400 Maximum Power Dissipation PD TC = 25°C 313 W Linear Derating Factor TC = 25°C 2.1 W/°C Gate-to-Source Voltage VGS - ± 20 V Operating Junction and Storage Temperature Range TJ TSTG - -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) - - 300 Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw - - 10 lbf·in (1.1 N·m) -