安裝時(shí)貼片鋁電解電容經(jīng)過(guò)正錯(cuò)的安裝及加載之后，不要在試圖用于其他線路板或其他用途

電容器是個(gè)復(fù)雜的東西，因?yàn)樗怯珊芏嗷A(chǔ)元件組成的，由于原材料及制造工藝的原因，很多小廠生產(chǎn)的電容器介質(zhì)中很容易存在雜質(zhì)，機(jī)械損傷，針孔，清潔度低等問(wèn)題。

 電容器的早期損壞多由于制造原因，高壓電容器:通常由多個(gè)元件申并聯(lián)構(gòu)成，每個(gè)元件由鋁箔作電極，將固體介質(zhì)放于電極之間.經(jīng)卷繞而制成。

 元件的極板面積很大，由于原材料及制造工藝等原因。

 介質(zhì)中可能存在雜質(zhì)，機(jī)械損傷.針孔、清潔度低等問(wèn)題，這就成了電容器固有的隱患。

 在系統(tǒng)中受各種原因引起的過(guò)電壓，過(guò)電流及周?chē)?、低溫度的作用，這些薄弱點(diǎn)便引起介質(zhì)擊穿。擊穿時(shí)通常會(huì)產(chǎn)生火花，進(jìn)一步的擴(kuò)大范圍。

從而形成多層短路甚至整個(gè)元件短路。與擊穿元件串聯(lián)的元件上的電壓將會(huì)隨之升高，與其并聯(lián)的元件組會(huì)被短接，從而使剩余的串聯(lián)組上的電壓隨之升高。

 通過(guò)每個(gè)元件的電流也隨之增大.將導(dǎo)致各個(gè)元件的迅速老化，增加發(fā)熱量.同時(shí)在較高電壓作用下也將產(chǎn)生極板邊緣的局部放電。

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瓷片電容電磁兼容的問(wèn)題常發(fā)生于高頻狀態(tài)下，個(gè)別問(wèn)題（電壓跌落與瞬時(shí)中斷等）除外。

 高頻思維，總而言之，就是器件的特性、電路的特性，在高頻情況下和常規(guī)中低頻狀態(tài)下是不一樣的。

 如果仍然按照普通的控制思維來(lái)判斷分析，則會(huì)走入設(shè)計(jì)的誤區(qū)。比如：

 瓷片電容在中低頻或直流情況下，就是一個(gè)儲(chǔ)能組件，只表現(xiàn)為一個(gè)電容的特性，但在高頻情況下，它就不僅僅是個(gè)電容了。

它有一個(gè)理想電容的特性，有漏電流（在高頻等效電路上表現(xiàn)為R），有引線電感，還在導(dǎo)致電壓脈沖波動(dòng)情況下發(fā)熱的ESR。

 瓷片電容能幫我們?cè)O(shè)計(jì)師得出很多有益的設(shè)計(jì)思路。按照常規(guī)思路，1/2πfc是電容的容抗，應(yīng)該是頻率越高，容抗越小，濾波效果越好。

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電容在一定的交流信號(hào)頻率下產(chǎn)生的容抗，可以限制工作電流。

 例如,在50Hz的工頻條件下,一個(gè)1uF的電容所產(chǎn)生的容抗約為3180歐姆。當(dāng)220V的交流電壓加在電容器的兩端,則流過(guò)電容的大電流約為70mA。

 雖然流過(guò)電容的電流有70mA,但在電容器上并不產(chǎn)生功耗，因?yàn)槿绻娙菔且粋€(gè)理想電容,則流過(guò)電容的電流為虛部電流,它所作的功為無(wú)功功率。

根據(jù)這個(gè)特點(diǎn),我們?nèi)绻谝粋€(gè)1uF的電容器上再串聯(lián)一個(gè)阻性元件,則阻性元件兩端所得到的電壓和它所產(chǎn)生的功耗完全取決于這個(gè)阻性元件的特性。

 因此,電容實(shí)際上是利用容抗限流。而電容器實(shí)際上起到一個(gè)限制電流和動(dòng)態(tài)分配電容器和負(fù)載兩端電壓的角色。

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