MT28EW256ABA1LJS-0SIT 鎂光并口NOR閃存
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MT28EW256ABA1LJS-0SIT-鎂光并口NOR閃存

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聯(lián)系人 李小姐

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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
型號(hào) MT28EW256ABA1LJS-0SI
品牌 MICRON
封裝 TSOP56
容量 256Mb
包裝 托盤(pán)
存儲(chǔ)技術(shù) FLASH - NOR
存儲(chǔ)格式 閃存
存儲(chǔ)類型 非易失
安裝類型 表面貼裝
數(shù)量 11230
商品介紹



MT28EW256ABA1LJS-0SIT MICRON(美光)NOR閃存 原廠原裝


生產(chǎn)商:MICRON(美光科技)

產(chǎn)品類別:NOR型閃存

系列:-

存儲(chǔ)格式:閃存

存儲(chǔ)技術(shù):FLASH-NOR

存儲(chǔ)容量:256Mb

存儲(chǔ)接口:并聯(lián)

時(shí)鐘頻率:-

寫(xiě)入時(shí)間:60ns

訪問(wèn)時(shí)間:75ns

電壓-電源:2.7V ~ 3.6V

工作溫度:-40°C ~ 85°C

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TSOP-56

原廠包裝:托盤(pán)

零件狀態(tài):批量生產(chǎn)

產(chǎn)品用途:MICRON(美光)的NOR閃存芯片主要應(yīng)用于服務(wù)器,智能電視,視頻監(jiān)控,汽車(chē)電子,物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,網(wǎng)絡(luò)機(jī)頂盒,通信設(shè)備,平板電腦等消費(fèi)類以及工業(yè)類電子設(shè)備,是全球第二大存儲(chǔ)器供應(yīng)商。我司供應(yīng)的產(chǎn)品包含MICRON的DRAM,NAND,NOR閃存,eMMC,eMCP嵌入式存儲(chǔ)等全系列存儲(chǔ)產(chǎn)品。


NOR閃存的基本原理

NAND與NOR兩者在基本的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式和操作機(jī)理上都大致相同。閃存以單晶體管作為二進(jìn)制信號(hào)的存儲(chǔ)單元,它的結(jié)構(gòu)與普通的半導(dǎo)體晶體管(場(chǎng)效應(yīng)管)非常類似,區(qū)別在于閃存的晶體管加入了“浮動(dòng)?xùn)?floating gate)”和“控制柵(Control gate)”—前者用于貯存電子,表面被一層硅氧化物絕緣體所包覆,并通過(guò)電容與控制柵相耦合。當(dāng)負(fù)電子在控制柵的作用下被注入到浮動(dòng)?xùn)胖袝r(shí),該NAND單晶體管的存儲(chǔ)狀態(tài)就由1變成0。相對(duì)來(lái)說(shuō),當(dāng)負(fù)電子從浮動(dòng)?xùn)胖幸谱吆?,存?chǔ)狀態(tài)就由0變成1;而包覆在浮動(dòng)?xùn)疟砻娴慕^緣體的作用就是將內(nèi)部的電子“困住”,達(dá)到保存數(shù)據(jù)的目的。如果要寫(xiě)入數(shù)據(jù),就必須將浮動(dòng)?xùn)胖械呢?fù)電子全部移走,令目標(biāo)存儲(chǔ)區(qū)域都處于1狀態(tài),這樣只有遇到數(shù)據(jù)0時(shí)才發(fā)生寫(xiě)入動(dòng)作—但這個(gè)過(guò)程需要耗費(fèi)不短的時(shí)間,導(dǎo)致不管是NAND還是NOR型閃存,其寫(xiě)入速度總是慢于數(shù)據(jù)讀取的速度。雖然基本原理相同,但閃存可以有不同的電荷生成與存儲(chǔ)方案。其中應(yīng)用最廣泛的是“通道熱電子編程(Channel Hot Electron,CHE)”,該方法通過(guò)對(duì)控制柵施加高電壓,使傳導(dǎo)電子在電場(chǎng)的作用下突破絕緣體的屏障進(jìn)入到浮動(dòng)?xùn)艃?nèi)部,反之亦然,以此來(lái)完成寫(xiě)入或者抹除動(dòng)作;另一種方法被稱為“Fowler-Nordheim(FN)隧道效應(yīng)法”,它是直接在絕緣層兩側(cè)施加高電壓形成高強(qiáng)度電場(chǎng),幫助電子穿越氧化層通道進(jìn)出浮動(dòng)?xùn)?。NOR閃存同時(shí)使用上述兩種方法,CHE用于數(shù)據(jù)寫(xiě)入,支持單字節(jié)或單字編程;FN法則用于擦除,但NOR不能單字節(jié)擦除,必須以塊為單位或?qū)φ瑓^(qū)域執(zhí)行擦除操作,由于擦除和編程速度慢、塊尺寸也較大,使得NOR閃存在擦除和編程操作中所花費(fèi)的時(shí)間很長(zhǎng),無(wú)法勝任純數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和文件存儲(chǔ)之類的應(yīng)用,但它的優(yōu)點(diǎn)是可支持代碼本地直接運(yùn)行;其次,NOR閃存采用隨機(jī)存儲(chǔ)方式,設(shè)備可以直接存取任意區(qū)域的數(shù)據(jù),因此NOR閃存底部有大量的信號(hào)引腳,且每個(gè)單晶體管都需要輔助讀寫(xiě)的邏輯,晶體管利用效率較低、容量不占優(yōu)勢(shì)。而NAND閃存采用FN法寫(xiě)入和擦除,且采用一種“頁(yè)面-塊”尋址的統(tǒng)一存儲(chǔ)方式,單晶體管的結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單,存儲(chǔ)密度較高,擦除動(dòng)作很快,但缺陷在于讀出性能平平且不支持代碼本地執(zhí)行。另一個(gè)不可忽視的地方在于,NAND閃存很容易出現(xiàn)壞塊,制造商通過(guò)虛擬映射的方式將其屏蔽。但是,NOR型閃存理論擦寫(xiě)次數(shù)約為10萬(wàn)次,NAND型閃存理論擦寫(xiě)次數(shù)約為100萬(wàn)次,壽命上NAND型閃存要占優(yōu)勢(shì)。


NOR閃存特點(diǎn)

NOR型閃存更像內(nèi)存,有獨(dú)立的地址線和數(shù)據(jù)線,NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit,用戶可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。


價(jià)格說(shuō)明

我司在愛(ài)采購(gòu)商鋪展示的價(jià)格為指導(dǎo)價(jià)格或該商品曾經(jīng)展示的銷售價(jià)格,非原價(jià),僅供參考。具體售價(jià)以公司銷售代表確認(rèn)的價(jià)格為準(zhǔn)。


購(gòu)買(mǎi)說(shuō)明

客戶訂購(gòu)產(chǎn)品之前請(qǐng)聯(lián)系我司銷售代表確認(rèn)產(chǎn)品的庫(kù)存數(shù)量,庫(kù)存位置,訂貨周期等相關(guān)信息。確認(rèn)信息之后由我司銷售代表通過(guò)公司系統(tǒng)生成訂單,交由客戶最后確認(rèn)簽字后生成正式訂單。




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公司名稱 深圳記憶半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系賣(mài)家 李小姐 (QQ:1040180147)
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