M25P40-VMW6TGB MICRON(美光)NOR閃存 原廠原裝

生產(chǎn)商：MICRON(美光科技)

產(chǎn)品類別：NOR型閃存

系列：-

存儲格式：閃存

存儲技術(shù)：FLASH-NOR

存儲容量：4Mb （512K x 8）

存儲接口：SPI

時鐘頻率：75MHz

寫入時間：15ms，5ms

訪問時間：-

電壓-電源：2.7V ~ 3.6V

工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）

原廠包裝：卷帶

零件狀態(tài)：批量生產(chǎn)

產(chǎn)品用途：MICRON（美光）的NOR閃存芯片主要應(yīng)用于服務(wù)器，智能電視，視頻監(jiān)控，汽車電子，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，網(wǎng)絡(luò)機頂盒，通信設(shè)備，平板電腦等消費類以及工業(yè)類電子設(shè)備，是全球第二大存儲器供應(yīng)商。我司供應(yīng)的產(chǎn)品包含MICRON的DRAM,NAND,NOR閃存,eMMC，eMCP嵌入式存儲等全系列存儲產(chǎn)品。

NOR閃存的基本原理

NAND與NOR兩者在基本的數(shù)據(jù)存儲方式和操作機理上都大致相同。閃存以單晶體管作為二進制信號的存儲單元，它的結(jié)構(gòu)與普通的半導體晶體管(場效應(yīng)管)非常類似，區(qū)別在于閃存的晶體管加入了“浮動柵(floating gate)”和“控制柵(Control gate)”—前者用于貯存電子，表面被一層硅氧化物絕緣體所包覆，并通過電容與控制柵相耦合。當負電子在控制柵的作用下被注入到浮動柵中時，該NAND單晶體管的存儲狀態(tài)就由1變成0。相對來說，當負電子從浮動柵中移走后，存儲狀態(tài)就由0變成1；而包覆在浮動柵表面的絕緣體的作用就是將內(nèi)部的電子“困住”，達到保存數(shù)據(jù)的目的。如果要寫入數(shù)據(jù)，就必須將浮動柵中的負電子全部移走，令目標存儲區(qū)域都處于1狀態(tài)，這樣只有遇到數(shù)據(jù)0時才發(fā)生寫入動作—但這個過程需要耗費不短的時間，導致不管是NAND還是NOR型閃存，其寫入速度總是慢于數(shù)據(jù)讀取的速度。雖然基本原理相同，但閃存可以有不同的電荷生成與存儲方案。其中應(yīng)用最廣泛的是“通道熱電子編程(Channel Hot Electron，CHE)”，該方法通過對控制柵施加高電壓，使傳導電子在電場的作用下突破絕緣體的屏障進入到浮動柵內(nèi)部，反之亦然，以此來完成寫入或者抹除動作；另一種方法被稱為“Fowler-Nordheim(FN)隧道效應(yīng)法”，它是直接在絕緣層兩側(cè)施加高電壓形成高強度電場，幫助電子穿越氧化層通道進出浮動柵。NOR閃存同時使用上述兩種方法，CHE用于數(shù)據(jù)寫入，支持單字節(jié)或單字編程；FN法則用于擦除，但NOR不能單字節(jié)擦除，必須以塊為單位或?qū)φ瑓^(qū)域執(zhí)行擦除操作，由于擦除和編程速度慢、塊尺寸也較大，使得NOR閃存在擦除和編程操作中所花費的時間很長，無法勝任純數(shù)據(jù)存儲和文件存儲之類的應(yīng)用，但它的優(yōu)點是可支持代碼本地直接運行；其次，NOR閃存采用隨機存儲方式，設(shè)備可以直接存取任意區(qū)域的數(shù)據(jù)，因此NOR閃存底部有大量的信號引腳，且每個單晶體管都需要輔助讀寫的邏輯，晶體管利用效率較低、容量不占優(yōu)勢。而NAND閃存采用FN法寫入和擦除，且采用一種“頁面-塊”尋址的統(tǒng)一存儲方式，單晶體管的結(jié)構(gòu)相對簡單，存儲密度較高，擦除動作很快，但缺陷在于讀出性能平平且不支持代碼本地執(zhí)行。另一個不可忽視的地方在于，NAND閃存很容易出現(xiàn)壞塊，制造商通過虛擬映射的方式將其屏蔽。但是，NOR型閃存理論擦寫次數(shù)約為10萬次，NAND型閃存理論擦寫次數(shù)約為100萬次，壽命上NAND型閃存要占優(yōu)勢。

NOR閃存特點

NOR型閃存更像內(nèi)存，有獨立的地址線和數(shù)據(jù)線，NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。

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