FDS4435BZ FDS4435BZ 

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 8.8 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 16 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 25 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: PowerTrench

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.75 mm  

長度: 4.9 mm  

系列: FDS4435BZ  

晶體管類型: 1 P-Channel  

類型: MOSFET  

寬度: 3.9 mm  

商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 24 S  

下降時(shí)間: 38 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 13 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 68 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 12 ns  

零件號(hào)別名: FDS4435BZ_NL  

單位重量: 130 mg

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 8.8 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 16 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 25 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: PowerTrench

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.75 mm  

長度: 4.9 mm  

系列: FDS4435BZ  

晶體管類型: 1 P-Channel  

類型: MOSFET  

寬度: 3.9 mm  

商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 24 S  

下降時(shí)間: 38 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 13 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 68 ns