本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：PQFN-8 晶體管極性：P-Channel MOSFET通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：30 V Id-連續(xù)直流電流：21 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：4.6毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-萘甲酸：110 nC Pd-功率耗散：3.1 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：單 高度：1毫米 長度：6 mm 晶體管類型：1 P通道 寬度：5毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 濕度敏感性：是 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：4000 子類別：MOSFET 零件號別名：IRFH9310TRPBF SP001556540 單位重量：6 g 應(yīng)用領(lǐng)域 筆記本電腦電池應(yīng)用的充放電開關(guān) 特征 低RDSon（≤4.6mΩ） 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的PQFN封裝 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，不含鉛，溴化物和鹵素 好處 降低傳導(dǎo)損耗 多廠商兼容性 環(huán)保 最大絕對額定值 Parameter Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage -30 V VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -21 A ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -17 ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V (Silicon Limited) -107 ID @ TC = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V (Silicon Limited) - 86 ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V (Package Limited) -40 IDM Pulsed Drain Current Q) -170 PD @TA = 25°C Power Dissipation @ 3.1 W PD @ TA = 70°C Power Dissipation @ 2.0 Linear Derating Factor 0.025 W/°C TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C 熱阻 Parameter Typ. Max. Units RqJC Junction-to-Case @ ––– 1.6 °C/W RqJA Junction-to-Ambient ® ––– 40 RqJA Junction-to-Ambient (t<10s) ® ––– 35