本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：SO-8 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：2頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：30 V Id-連續(xù)直流電流：6.9 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：23毫歐 Qg-血漿甲醛：22 nC 最大工作溫度：+ 175 C Pd-功率耗散：2.4 W 資質(zhì)：AEC-Q101 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：雙 高度：1.75毫米 長(zhǎng)度：4.9毫米 晶體管類型：2 N溝道 寬度：3.9毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：4000 子類別：MOSFET 零件號(hào)別名：AUIRF7313QTR SP001519208 單位重量：540毫克 特征 先進(jìn)的平面技術(shù) 雙N溝道MOSFET 導(dǎo)通電阻低 邏輯電平門驅(qū)動(dòng) 動(dòng)態(tài)dv / dt額定值 175°C工作溫度 快速切換 無鉛，符合RoHS 汽車合格* 描述 HEXFET®功率MOSFET的這種蜂窩設(shè)計(jì)專門針對(duì) 汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)，它利用最新的處理技術(shù)來實(shí)現(xiàn) 每硅面積的低導(dǎo)通電阻。 這種優(yōu)勢(shì)與HEXFET功率 MOSFET眾所周知的快速開關(guān)速度和堅(jiān)固耐用的 器件設(shè)計(jì)相結(jié)合，為設(shè)計(jì)人員提供了一種非常 有效和可靠的器件，可用于汽車和其他各種應(yīng)用。 最大絕對(duì)額定值 Symbol Parameter Max. Units VDS Drain-Source Voltage 30 V ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 6.9 A ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 5.8 IDM Pulsed Drain Current  58 PD @TA = 25°C Maximum Power Dissipation 2.4 W Linear Derating Factor 0.02 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚ 450 mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt ƒ 3.6 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C