本公司營ADI亞德諾、ST意法半導體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細信息 技術(shù)：Si 安裝風格：SMD / SMT 封裝/箱體：SO-8 晶體管極性：P-Channel 通道數(shù)量：2頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：20 V Id-連續(xù)直流電流：5.3 A Rds上漏源導通電阻：98毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：12 V Qg-血漿甲醛：19 nC Pd-功率耗散：2 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：雙 高度：1.75毫米 長度：4.9毫米 晶體管類型：2 P通道 寬度：3.9毫米 商標：Infineon Technologies 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：4000 子類別：MOSFET 零件號別名：IRF7314TRPBF SP001570224 單位重量：540毫克 特征 •第五代技術(shù) •超低導通電阻 •雙P溝道MOSFET •表面貼裝 •完全雪崩等級 •無鉛 描述 國際整流器公司的第五代HEXFET采用先進的處理技術(shù)， 以實現(xiàn)極低的每硅面積導通電阻。 這項優(yōu)勢與HEXFET 功率MOSFET眾所周知的快速開關(guān)速度和堅固耐用的器件 設(shè)計相結(jié)合，為設(shè)計人員提供了一種極其有效和可靠的器件， 可廣泛用于各種應(yīng)用中。 SO-8已通過定制的引線框架進行了修改，以增強熱特性 和多芯片能力，使其成為各種電源應(yīng)用的理想選擇。 通過這些改進，可以在一塊板子空間大大減少的應(yīng)用 中使用多種設(shè)備。 該封裝設(shè)計用于氣相，紅外或波峰焊技術(shù)。 最大絕對額定值 Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VOS -20 V Gate-Source Voltage VGS 士 12 Continuous Drain Current(i) TA = 25°C ID -5.3 -4.3 A TA = 70°C Pulsed Drain Current IOM -21 Continuous Source Current (Diode Conduction) IS -2.5 Maximum Power Dissipation (i) TA = 25°C PD 2.0 w TA = 70°C 1.3 Single Pulse Avalanche Energy EAS 150 mJ Avalanche Current IAR -2.9 A Repetitive Avalanche Energy EAR 0.20 mJ Peak Diode Recovery dv/dtGl dv/dt -5.0 V/ ns Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG -55 to + 150 °C