區(qū)別：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質不同。在相同的體積下由于填充介質不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。

NPO電容器

NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。

NPO電容器是電容量和介質損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到 125℃時容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%，相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。

封 裝 DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

1210 560---5600pF 560---2700pF

2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。

 很多客戶買到貼片電容回去測試以后發(fā)現(xiàn)貼片電容的容值就有偏低的現(xiàn)象，這時可能會會認為我們存在欺騙買家的行為，其實不是的。下面我們來分析一下貼片電容的容值為什么會偏低？導致貼片電容偏低的因素有什么？下面我們一起來分析一下。

  1. 測試條件對測量結果的影響

  對于貼片電容偏低的我們可以考慮一下測試條件對貼片電容容值的影響。對于不同容值的貼片電容需要采用不同的測試條件來測量容值，主要在測試電壓的設定和測試頻率的設定上有區(qū)別，貼片電容不同容值的測試條件為：

  電容AC電壓頻率

  容量＞10uF 1.0±0.2Vrms 120Hz

  1000pF＜容量≤10uF 1.0±0.2Vrms 1KHz

  容量≤1000pF 1.0±0.2Vrms 1MHz

  2. 測量儀器的差異對測量結果的影響

  大容量的電容（指1uF以上的容值）測量時更容易出現(xiàn)容值偏低的現(xiàn)象，造成這種現(xiàn)象的主要原因是施加在電壓兩端的實際電壓不能達到測試條件所需求的電壓，這是因為加在電容兩端的測試電壓由于儀器內部阻抗分壓的原因與實際顯示的設定電壓不一致。為了使測量結果誤差降，我們建議將儀器調校并盡量把儀器的設定電壓跟實際加在電容兩端所測的電壓盡量調整，使實際于待測電容上輸出的電壓一致。

 安裝時貼片鋁電解電容經過正錯的安裝及加載之后，不要在試圖用于其他線路板或其他用途

電容器是個復雜的東西，因為它是由很多基礎元件組成的，由于原材料及制造工藝的原因，很多小廠生產的電容器介質中很容易存在雜質，機械損傷，針孔，清潔度低等問題。

 電容器的早期損壞多由于制造原因，高壓電容器:通常由多個元件申并聯(lián)構成，每個元件由鋁箔作電極，將固體介質放于電極之間.經卷繞而制成。

 元件的極板面積很大，由于原材料及制造工藝等原因。

 介質中可能存在雜質，機械損傷.針孔、清潔度低等問題，這就成了電容器固有的隱患。

 在系統(tǒng)中受各種原因引起的過電壓，過電流及周圍高、低溫度的作用，這些薄弱點便引起介質擊穿。擊穿時通常會產生火花，進一步的擴大范圍。

從而形成多層短路甚至整個元件短路。與擊穿元件串聯(lián)的元件上的電壓將會隨之升高，與其并聯(lián)的元件組會被短接，從而使剩余的串聯(lián)組上的電壓隨之升高。

 通過每個元件的電流也隨之增大.將導致各個元件的迅速老化，增加發(fā)熱量.同時在較高電壓作用下也將產生極板邊緣的局部放電。

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