HVQL10MT200G 簡(jiǎn)易參數(shù)表 ：

器件名稱：三相高壓整流橋堆

器件型號(hào)： HVQL10MT200G

器件品牌：HVGT Semiconductor

反向重復(fù)峰值電壓 VRRM（Ta=25℃）： 20KV

正向平均電流 IFAVM （Ta=40℃）： 1.0A

正向不重復(fù)浪涌電流 IFSM（Ta=25°C; 50Hz Half-Sine Wave;8.3mS）： 20A

正向峰值電壓VFM（@ 25°C; @ IFAVM）： 30V

反向直流電流IR1（VR=VRRM  Ta=25℃）   ：5.0uA

反向直流電流IR2（VR=VRRM  Toil=100℃）：50uA

反向恢復(fù)時(shí)間 Trr：  80nS

工作溫度 Tj：    -40~150 ℃

存儲(chǔ)溫度 Tstg： -40~150℃

PN結(jié)電容 Cj：     --

器件凈重：         400 克(約)

HVQL10MT200G 參數(shù)表 Datasheet：
型號(hào) Type	HVQL10MT200G	制造商 Manufacturer	HVGT
反向重復(fù)峰值電壓 VRRM	20KV	正向平均電流 IFAVM	1.0A
正向不重復(fù)浪涌電流 IFSM	20A	正向峰值電壓VFM	30V
反向直流電流IR1	5.0uA	反向恢復(fù)時(shí)間 Trr	80nS
反向直流電流IR2	50uA	PN結(jié)電容 Cj	--
工作溫度 Tj	-40~150 ℃	存儲(chǔ)溫度 Tstg	-40~150℃
外形尺寸Shape Size：(Unit: mm)