規(guī)格：DN2540N8-G

FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 400V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 170mA（Tj）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 25 歐姆 @ 120mA，0V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） -
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V
FET 功能 耗盡模式
功率耗散（最大值） 1.6W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TO-243AA（SOT-89）
封裝/外殼 TO-243AA

DN2540N8-G DN2540N8-G

                                   深圳市宏源世紀科技有限公司

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