BSO613SPV SOP8 MOS場效應(yīng)管
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BSO613SPV SOP8 MOS場效應(yīng)管

BSO613SPV-SOP8-MOS場效應(yīng)管

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聯(lián)系人 小琳/顏娜/小蔡

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品牌 Texas Instruments
型號 BSO613SPV
產(chǎn)品種類 集成電路
最大工作溫度 + 70 C
數(shù)量 1
數(shù)量 10000
商品介紹

BSO613SPV BSO613SPV BSO613SPV BSO613SPV


制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 3.44 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 130 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封裝: Reel

高度: 1.75 mm  

長度: 4.9 mm  

晶體管類型: 1 P-Channel  

寬度: 3.9 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

下降時間: 12 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 11 ns  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 32 ns  

典型接通延遲時間: 10 ns  

單位重量: 540 mg


制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 3.44 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 130 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封裝: Reel

高度: 1.75 mm  

長度: 4.9 mm  

晶體管類型: 1 P-Channel  

寬度: 3.9 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

下降時間: 12 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 11 ns  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 32 ns  

典型接通延遲時間: 10 ns  

單位重量: 540 mg





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公司名稱 深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
聯(lián)系賣家 小琳/顏娜/小蔡 (QQ:611284370)
電話 尋尉尅尅-專將尃尊尊尉專尊
手機 専將尅尃專射將專將射射
傳真 尋尉尅尅-将将專專將尃將尋
地址 廣東省深圳市