NAND閃存陣列分為一系列128kB的區(qū)塊(block)，這些區(qū)塊是NAND器件中最小的可擦除實體。擦除一個區(qū)塊就是把所有的位(bit)設(shè)置為“1”(而所有字節(jié)(byte)設(shè)置為FFh)。有必要通過編程，將已擦除的位從“1”變?yōu)椤?”。最小的編程實體是字節(jié)(byte)。一些NOR閃存能同時執(zhí)行讀寫操作(見下圖1)。雖然NAND不能同時執(zhí)行讀寫操作，它可以采用稱為“映射(shadowing)”的方法，在系統(tǒng)級實現(xiàn)這一點。這種方法在個人電腦上已經(jīng)沿用多年，即將BIOS從速率較低的ROM加載到速率較高的RAM上。NAND閃存卡的讀取速度遠(yuǎn)大于寫入速度。當(dāng)芯片磨損，抹除與程序的操作速度會降到相當(dāng)慢。傳遞多個小型文件時，若是每個文件長度均小于閃存芯片所定義的區(qū)塊大小時，就可能導(dǎo)致很低的傳輸速率。訪問的遲滯也會影響性能，但還是比硬盤的遲滯影響小。閃存控制器的質(zhì)量也是影響性能的因素之一。即使閃存只有在制造時做縮小晶粒(die-shrink)的改變，但如果欠缺合適的控制器，就可能引起速度的降級。不同種類、不同工藝、不同技術(shù)水平的NAND閃存在讀寫速率上存在差異。同時，閃存產(chǎn)品的讀寫性能也與讀寫方式有關(guān)。一般閃存的數(shù)據(jù)接口為8位或者16位，其中8位較為常見。如果產(chǎn)品支持多通道并行讀寫，那么就會有更高的速度。優(yōu)勢NAND的效率較高，是因為NAND串中沒有金屬觸點。NAND閃存單元的大小比NOR要小(4F2：10F2)的原因，是NOR的每一個單元都需要獨立的金屬觸點。NAND與硬盤驅(qū)動器類似，基于扇區(qū)(頁)，適合于存儲連續(xù)的數(shù)據(jù)，如圖片、音頻或個人電腦數(shù)據(jù)。雖然通過把數(shù)據(jù)映射到RAM上，能在系統(tǒng)級實現(xiàn)隨機存取，但是，這樣做需要額外的RAM存儲空間。此外，跟硬盤一樣，NAND器件存在壞的扇區(qū)，需要糾錯碼(ECC)來維持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性。存儲單元面積越小，裸片的面積也就越小。在這種情況下，NAND就能夠為當(dāng)今的低成本消費市場提供存儲容量更大的閃存產(chǎn)品。NAND閃存用于幾乎所有可擦除的存儲卡。NAND的復(fù)用接口為所有最新的器件和密度都提供了一種相似的引腳輸出。這種引腳輸出使得設(shè)計工程師無須改變電路板的硬件設(shè)計，就能從更小的密度移植到更大密度的設(shè)計上