規(guī)格書：AO4447A

FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 17A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 7 毫歐 @ 17A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 105nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 5500pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

AO4447A AO4447A

                                   深圳市宏源世紀(jì)科技有限公司

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