閃存的基本單元電路與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層?xùn)沤橘|(zhì)很薄，作為隧道氧化層。寫(xiě)入方法與EEPROM相同，在第二級(jí)浮空柵加正電壓，使電子進(jìn)入第一級(jí)浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級(jí)浮空柵與漏極之間的隧道效應(yīng)，將注入到浮空柵的負(fù)電荷吸引到源極。由于利用源極加正電壓擦除， 存儲(chǔ)器因此各單元的源極聯(lián)在一起，這樣，擦除不能按字節(jié)擦除，而是全片或者分塊擦除。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)，閃存也實(shí)現(xiàn)了單晶體管設(shè)計(jì)，主要就是在原有的晶體管上加入浮空柵和選擇柵， 存儲(chǔ)器

NAND閃存單元結(jié)構(gòu)NAND閃存陣列分為一系列128kB的區(qū)塊(block)，這些區(qū)塊是NAND器件中最小的可擦除實(shí)體。擦除一個(gè)區(qū)塊就是把所有的位(bit)設(shè)置為"1"(而所有字節(jié)(byte)設(shè)置為FFh)。有必要通過(guò)編程，將已擦除的位從"1"變?yōu)?0"。最小的編程實(shí)體是字節(jié)(byte)。一些NOR閃存能同時(shí)執(zhí)行讀寫(xiě)操作(見(jiàn)下圖1)。雖然NAND不能同時(shí)執(zhí)行讀寫(xiě)操作，它可以采用稱為"映射(shadowing)"的方法，在系統(tǒng)級(jí)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。這種方法在個(gè)人電腦上已經(jīng)沿用多年，即將BIOS從速率較低的ROM加載到速率較高的RAM上。

NAND閃存卡的讀取速度遠(yuǎn)大于寫(xiě)入速度 。

當(dāng)芯片磨損，抹除與程序的操作速度會(huì)降到相當(dāng)慢。傳遞多個(gè)小型文件時(shí)，若是每個(gè)文件長(zhǎng)度均小于閃存芯片所定義的區(qū)塊大小時(shí)，就可能導(dǎo)致很低的傳輸速率。訪問(wèn)的遲滯也會(huì)影響性能，但還是比硬盤(pán)的遲滯影響小。

閃存控制器的質(zhì)量也是影響性能的因素之一。即使閃存只有在制造時(shí)做縮小晶粒(die-shrink)的改變，但如果欠缺合適的控制器，就可能引起速度的降級(jí)。 存儲(chǔ)器

不同種類、不同工藝、不同技術(shù)水平的NAND閃存在讀寫(xiě)速率上存在差異。同時(shí)，閃存產(chǎn)品的讀寫(xiě)性能也與讀寫(xiě)方式有關(guān)。一般閃存的數(shù)據(jù)接口為8位或者16位，其中8位較為常見(jiàn)。如果產(chǎn)品支持多通道并行讀寫(xiě)，那么就會(huì)有更高的速度。 存儲(chǔ)器