PC28F256P30BFF MICRON(美光)NOR閃存 原廠原裝

生產(chǎn)商：MICRON(美光科技)

產(chǎn)品類別：NOR型閃存

系列：-

存儲(chǔ)格式：閃存

存儲(chǔ)技術(shù)：FLASH-NOR

存儲(chǔ)容量：256Mb

存儲(chǔ)接口：并聯(lián)

時(shí)鐘頻率：52MHz

寫入時(shí)間：100ns

訪問時(shí)間：100ns

電壓-電源：1.7V ~ 2V

工作溫度：-40°C ~ 85°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TBGA64

原廠包裝：托盤

零件狀態(tài)：批量生產(chǎn)

產(chǎn)品用途：MICRON（美光）的NOR閃存芯片主要應(yīng)用于服務(wù)器，智能電視，視頻監(jiān)控，汽車電子，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，網(wǎng)絡(luò)機(jī)頂盒，通信設(shè)備，平板電腦等消費(fèi)類以及工業(yè)類電子設(shè)備，是全球第二大存儲(chǔ)器供應(yīng)商。我司供應(yīng)的產(chǎn)品包含MICRON的DRAM,NAND,NOR閃存,eMMC，eMCP嵌入式存儲(chǔ)等全系列存儲(chǔ)產(chǎn)品。

NOR閃存的基本原理

NAND與NOR兩者在基本的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式和操作機(jī)理上都大致相同。閃存以單晶體管作為二進(jìn)制信號(hào)的存儲(chǔ)單元，它的結(jié)構(gòu)與普通的半導(dǎo)體晶體管(場效應(yīng)管)非常類似，區(qū)別在于閃存的晶體管加入了“浮動(dòng)?xùn)?floating gate)”和“控制柵(Control gate)”—前者用于貯存電子，表面被一層硅氧化物絕緣體所包覆，并通過電容與控制柵相耦合。當(dāng)負(fù)電子在控制柵的作用下被注入到浮動(dòng)?xùn)胖袝r(shí)，該NAND單晶體管的存儲(chǔ)狀態(tài)就由1變成0。相對(duì)來說，當(dāng)負(fù)電子從浮動(dòng)?xùn)胖幸谱吆?，存?chǔ)狀態(tài)就由0變成1；而包覆在浮動(dòng)?xùn)疟砻娴慕^緣體的作用就是將內(nèi)部的電子“困住”，達(dá)到保存數(shù)據(jù)的目的。如果要寫入數(shù)據(jù)，就必須將浮動(dòng)?xùn)胖械呢?fù)電子全部移走，令目標(biāo)存儲(chǔ)區(qū)域都處于1狀態(tài)，這樣只有遇到數(shù)據(jù)0時(shí)才發(fā)生寫入動(dòng)作—但這個(gè)過程需要耗費(fèi)不短的時(shí)間，導(dǎo)致不管是NAND還是NOR型閃存，其寫入速度總是慢于數(shù)據(jù)讀取的速度。雖然基本原理相同，但閃存可以有不同的電荷生成與存儲(chǔ)方案。其中應(yīng)用最廣泛的是“通道熱電子編程(Channel Hot Electron，CHE)”，該方法通過對(duì)控制柵施加高電壓，使傳導(dǎo)電子在電場的作用下突破絕緣體的屏障進(jìn)入到浮動(dòng)?xùn)艃?nèi)部，反之亦然，以此來完成寫入或者抹除動(dòng)作；另一種方法被稱為“Fowler-Nordheim(FN)隧道效應(yīng)法”，它是直接在絕緣層兩側(cè)施加高電壓形成高強(qiáng)度電場，幫助電子穿越氧化層通道進(jìn)出浮動(dòng)?xùn)拧OR閃存同時(shí)使用上述兩種方法，CHE用于數(shù)據(jù)寫入，支持單字節(jié)或單字編程；FN法則用于擦除，但NOR不能單字節(jié)擦除，必須以塊為單位或?qū)φ瑓^(qū)域執(zhí)行擦除操作，由于擦除和編程速度慢、塊尺寸也較大，使得NOR閃存在擦除和編程操作中所花費(fèi)的時(shí)間很長，無法勝任純數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和文件存儲(chǔ)之類的應(yīng)用，但它的優(yōu)點(diǎn)是可支持代碼本地直接運(yùn)行；其次，NOR閃存采用隨機(jī)存儲(chǔ)方式，設(shè)備可以直接存取任意區(qū)域的數(shù)據(jù)，因此NOR閃存底部有大量的信號(hào)引腳，且每個(gè)單晶體管都需要輔助讀寫的邏輯，晶體管利用效率較低、容量不占優(yōu)勢(shì)。而NAND閃存采用FN法寫入和擦除，且采用一種“頁面-塊”尋址的統(tǒng)一存儲(chǔ)方式，單晶體管的結(jié)構(gòu)相對(duì)簡單，存儲(chǔ)密度較高，擦除動(dòng)作很快，但缺陷在于讀出性能平平且不支持代碼本地執(zhí)行。另一個(gè)不可忽視的地方在于，NAND閃存很容易出現(xiàn)壞塊，制造商通過虛擬映射的方式將其屏蔽。但是，NOR型閃存理論擦寫次數(shù)約為10萬次，NAND型閃存理論擦寫次數(shù)約為100萬次，壽命上NAND型閃存要占優(yōu)勢(shì)。

NOR閃存特點(diǎn)

NOR型閃存更像內(nèi)存，有獨(dú)立的地址線和數(shù)據(jù)線，NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。

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