IRF5210S IR TO-263 MOS場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道 100V/38A
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IRF5210S IR TO-263 MOS場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道 100V/38A
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IRF5210S-IR-TO-263-MOS場(chǎng)效應(yīng)管

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品牌 IR/國(guó)際整流器
型號(hào) IRF5210S
封裝 TO-263
批號(hào) 18+
FET類型 MOS場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道
漏源電壓（Vdss） -100V
漏極電流(Id) 40A
漏源導(dǎo)通電阻(RDS On) 0.06ohm
柵源電壓(Vgs) 4V
柵極電荷(Qg) N/A
反向恢復(fù)時(shí)間 N/A
最大耗散功率 3.8W
配置類型 MOS場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道
工作溫度范圍 175°C
安裝類型 直插式
導(dǎo)電方式 增強(qiáng)型
溝道類型 P溝道
種類 絕緣柵(MOSFET)
商品介紹

IRF5210S IR TO-263 MOS場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道 100V/38A
場(chǎng)效應(yīng)管(FET)，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。

場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影P溝道m(xù)os管符號(hào)一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

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品牌LOGO圖 (2)_副本

品牌LOGO圖 (1)_副本

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產(chǎn)品詳情

 

 The IRF5210SPBF is a -100V single P-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of other applications.

  • Advanced process technology
  • Ultra low on-resistance
  • Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
  • 150°C Operating temperature

 

實(shí)物拍攝

 

IRF5210S_副本



 

 

 

 

 

 

 

 

 

 



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公司名稱 深圳市華永利電子科技有限公司
聯(lián)系賣家 陳生 （QQ：2850879919）
電話 尋尉尅尅-專將尃尅尅将尉尊
手機(jī) 専尅尊専射専尊尋尉專尊
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網(wǎng)址 http://www.huayongli.com
地址 廣東省深圳市