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IRFZ44NPBF-MOS場效應(yīng)管-TO-220-
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IRFZ44NPBF 功率 N溝道 MOS 場效應(yīng)管 49A/55V TO-220 IRFZ44N
場效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應(yīng)管通過投影P溝道m(xù)os管符號一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導體場效應(yīng)管(MOSFET)。因為MOS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。
- Dynamic dv/dt rating
- Fully avalanche rated
- Advanced process technology
- 晶體管極性N溝道
- 電流, Id 連續(xù)49A
- 漏源電壓, Vds55V
- 在電阻RDS(上)0.0175ohm
- 電壓 @ Rds測量10V
- 閾值電壓 Vgs2.1V
- 功耗 Pd83W
- 晶體管封裝類型TO-220AB
- 針腳數(shù)3
- 工作溫度高值175°C
- MSL-
- SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))No SVHC (15-Jun-2015)