IRFZ44NPBF MOS場效應(yīng)管 TO-220
IRFZ44NPBF MOS場效應(yīng)管 TO-220
IRFZ44NPBF MOS場效應(yīng)管 TO-220
IRFZ44NPBF MOS場效應(yīng)管 TO-220
IRFZ44NPBF MOS場效應(yīng)管 TO-220
IRFZ44NPBF MOS場效應(yīng)管 TO-220

IRFZ44NPBF-MOS場效應(yīng)管-TO-220-

價格

訂貨量(個)

¥0.96

≥500

聯(lián)系人 陳生

祺祴祸祺祳祺祸祹祲祵祸

發(fā)貨地 廣東省深圳市
進入商鋪
掃碼查看

掃碼查看

手機掃碼 快速查看

在線客服

商品參數(shù)
|
商品介紹
|
聯(lián)系方式
品牌 IR/國際整流器
型號 IRFZ44NPBF
導電方式 增強型
溝道類型 N溝道
封裝 CER-DIP/陶瓷直插
材料 GE-N-FET鍺N溝道
用途 A/寬頻帶放大
種類 絕緣柵(MOSFET)
數(shù)量 12000
商品介紹

IRFZ44NPBF 功率 N溝道 MOS 場效應(yīng)管 49A/55V TO-220 IRFZ44N

場效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。

場效應(yīng)管通過投影P溝道m(xù)os管符號一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導體場效應(yīng)管(MOSFET)。因為MOS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。

02


03

品牌LOGO圖 (2)_副本

品牌LOGO圖 (1)_副本

05_副本

 

 

 

產(chǎn)品詳情

 
 The IRFZ44NPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
  • Dynamic dv/dt rating
  • Fully avalanche rated
  • Advanced process technology

 

  • 晶體管極性N溝道
  • 電流, Id 連續(xù)49A
  • 漏源電壓, Vds55V
  • 在電阻RDS(上)0.0175ohm
  • 電壓 @ Rds測量10V
  • 閾值電壓 Vgs2.1V
  • 功耗 Pd83W
  • 晶體管封裝類型TO-220AB
  • 針腳數(shù)3
  • 工作溫度高值175°C
  • MSL-
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))No SVHC (15-Jun-2015)

 

 

實物拍攝

 

IRFZ44N_副本

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 



04_副本

11111_副本_副本

33333_副本_副本

聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市華永利電子科技有限公司
聯(lián)系賣家 陳生 (QQ:2850879919)
電話 祹祲祴祴-祵祷祶祴祴祻祲祸
手機 祺祴祸祺祳祺祸祹祲祵祸
傳真 祹祲祴祴-祵祷祶祴祸祻祻祲
網(wǎng)址 http://www.huayongli.com
地址 廣東省深圳市