數(shù)據(jù)列表:          AON7423

標(biāo)準(zhǔn)包裝:          5000

包裝:                 標(biāo)準(zhǔn)卷帶

類別:                 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

產(chǎn)品族:              晶體管 - FET，MOSFET - 單

型號(hào)規(guī)格:          P 溝道 MOSFET（金屬氧化物）

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漏源電壓（Vdss）:20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A（Ta），50A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）:100nC @ 4.5V

Vgs（最大值）:±8V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:5626pF @ 10V

功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），83W（Tc）

工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）

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A：RθJA的值是在安裝在2in的1in2 FR-4板上的設(shè)備上測(cè)得的。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該

功耗PDSM基于RθJAT≤10s值，最大允許結(jié)溫為150°C。任何給定的價(jià)值

應(yīng)用程序取決于用戶的特定電路板設(shè)計(jì)。

B.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，采用結(jié)殼熱阻，在設(shè)置上部時(shí)更有用

在使用額外散熱的情況下，散熱極限。

C.重復(fù)額定值，脈寬由結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C限制。額定值基于低頻率和占空比來(lái)保持

初始TJ = 25℃。

D.RθJA是從結(jié)到外殼RθJC和外殼到環(huán)境的熱阻抗之和。

E.圖1至6中的靜態(tài)特性是使用<300μs脈沖，占空比最大0.5％獲得的。

F.這些曲線基于結(jié)到殼體的熱阻抗，假設(shè)使用安裝在大型散熱器上的器件測(cè)量

最高結(jié)溫TJ（MAX）= 150°C。 SOA曲線提供單個(gè)脈沖評(píng)級(jí)。

G.最大額定電流是封裝有限的。

H.這些測(cè)試是在裝有1英寸2 FR-4板和2盎司的設(shè)備上進(jìn)行的。銅，在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。

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★經(jīng)營(yíng)范圍：

MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)管），二三極管，觸摸IC，電源IC，ESD靜電二極管，放大器，邏輯，能源管理，音頻，傳感器，功率半導(dǎo)體等！ ★應(yīng)用產(chǎn)品：電源控制，鋰電池保護(hù)，LED/液晶/顯示器，筆記本/平板電腦，航模/電動(dòng)玩具，電子書(shū)，智能家具，衛(wèi)星導(dǎo)航儀等等!