AOS/萬代 AOD442G TO-252 N 溝道 MOS 場效應管
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AOS/萬代-AOD442G-TO-252-N

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品牌 AOS/萬代
型號 AOD442
封裝 TO-252
環(huán)保類別 無鉛環(huán)保型
安裝方式 貼片式
包裝方式 卷帶編帶包裝
功率特征 中功率
數(shù)量 80000
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續(xù)漏極 7A(Ta),37A(Tc)
批號 新年份
商品介紹

產(chǎn)品摘要

AOD442    AOD442

VDS

 ID(VGS = 10V)37A

 RDS(ON)(VGS = 10V)<20mΩ

 RDS(ON)(VGS = 4.5V)<25mΩ

100%UIS經(jīng)過測試

100%Rg測試

一般說明:AOD442

AOD442 / AOI442采用先進的溝槽技術(shù)

提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。 那些

器件適合用作負載開關(guān)或PWM

應用。

A.使用安裝在1in2上的設(shè)備測量RθJA的值

FR-4板,2盎司。銅,在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該

功耗PDSM基于RθJA和最大允許結(jié)溫150°C。任何給定應用程序中的值取決于

用戶的特定電路板設(shè)計,如果PCB允許,可以使用175°C的最高溫度。

B.功耗PD基于TJ(MAX)= 175°C,采用結(jié)殼熱阻,在設(shè)置上部時更有用

使用額外散熱的情況下的耗散極限。

C.重復額定值,脈沖寬度受結(jié)溫TJ(MAX)= 175°C限制。額定值是基于低頻和占空比來保持最初的

TJ = 25℃。

D.RθJA是結(jié)點與情況RθJC和情況與環(huán)境之間的熱阻抗之和。

E.圖1至6中的靜態(tài)特性是使用<300μs脈沖,占空比最大0.5%獲得的。

F.這些曲線基于結(jié)殼熱阻抗,該阻抗是通過安裝在大型散熱器上的器件測量的,假設(shè)

最高結(jié)溫TJ(MAX)= 175°C。 SOA曲線提供單脈沖額定值。

G.最大額定電流是封裝限制的。

H.這些測試是在1英寸2安裝的設(shè)備上進行的

FR-4板,2盎司。銅,在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。

深圳市宏源世紀科技有限公司


熱銷產(chǎn)品:

AO3401/AO3402/AO3403/AO3404/AO3407/AO3414/AO3415/AO3416/

AO6822/AO4403/AO4407/AO4423/AO4812/AOD442/AOD409/AOD609/

AOD2922/AOD4182/AOD4184/AON5820/AON6144/AON6324/AON6358/

AON6382/AON7400/AON7402/AON7403/AON7404/AON7405/AON7406/

AON7407/AON7409/AON7140/AON7410/AOZ1016AI,AOZ1283PI,AOZ1284PI.


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