AOS/萬代 AOD442G TO-252 N 溝道 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管
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AOS/萬代-AOD442G-TO-252-N

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品牌 AOS/萬代
型號(hào) AOD442
封裝 TO-252
環(huán)保類別 無鉛環(huán)保型
安裝方式 貼片式
包裝方式 卷帶編帶包裝
功率特征 中功率
數(shù)量 80000
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續(xù)漏極 7A(Ta),37A(Tc)
批號(hào) 新年份
商品介紹

產(chǎn)品摘要

AOD442    AOD442

VDS

 ID(VGS = 10V)37A

 RDS(ON)(VGS = 10V)<20mΩ

 RDS(ON)(VGS = 4.5V)<25mΩ

100%UIS經(jīng)過測(cè)試

100%Rg測(cè)試

一般說明:AOD442

AOD442 / AOI442采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)

提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。 那些

器件適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM

應(yīng)用。

A.使用安裝在1in2上的設(shè)備測(cè)量RθJA的值

FR-4板,2盎司。銅,在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。該

功耗PDSM基于RθJA和最大允許結(jié)溫150°C。任何給定應(yīng)用程序中的值取決于

用戶的特定電路板設(shè)計(jì),如果PCB允許,可以使用175°C的最高溫度。

B.功耗PD基于TJ(MAX)= 175°C,采用結(jié)殼熱阻,在設(shè)置上部時(shí)更有用

使用額外散熱的情況下的耗散極限。

C.重復(fù)額定值,脈沖寬度受結(jié)溫TJ(MAX)= 175°C限制。額定值是基于低頻和占空比來保持最初的

TJ = 25℃。

D.RθJA是結(jié)點(diǎn)與情況RθJC和情況與環(huán)境之間的熱阻抗之和。

E.圖1至6中的靜態(tài)特性是使用<300μs脈沖,占空比最大0.5%獲得的。

F.這些曲線基于結(jié)殼熱阻抗,該阻抗是通過安裝在大型散熱器上的器件測(cè)量的,假設(shè)

最高結(jié)溫TJ(MAX)= 175°C。 SOA曲線提供單脈沖額定值。

G.最大額定電流是封裝限制的。

H.這些測(cè)試是在1英寸2安裝的設(shè)備上進(jìn)行的

FR-4板,2盎司。銅,在TA = 25°C的靜止空氣環(huán)境中。

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