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H5TQ4G83MFR-PBC SKhynix（海力士）DDR3存儲(chǔ)芯片 原廠原裝

生產(chǎn)商：SKhynix（海力士）

產(chǎn)品類別：集成電路-存儲(chǔ)器

系列：-

存儲(chǔ)格式：DRAM

存儲(chǔ)技術(shù)：SDRAM-DDR3

存儲(chǔ)容量：4Gb

存儲(chǔ)接口：并聯(lián)

SPEED(速度)：-

時(shí)鐘頻率：533MHz

寫入時(shí)間：-

訪問時(shí)間：-

電壓-電源：1.425V~1.575V

工作溫度：0°C ~ 95°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：FBGA-78

原廠包裝：托盤

零件狀態(tài)：批量生產(chǎn)

產(chǎn)品用途：SKhynix（海力士）的DDR3存儲(chǔ)芯片主要應(yīng)用于服務(wù)器，智能電視，視頻監(jiān)控，汽車電子，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，網(wǎng)絡(luò)機(jī)頂盒，通信設(shè)備，平板電腦等消費(fèi)類以及工業(yè)類電子設(shè)備，是全球第二大DRAM產(chǎn)品供應(yīng)商。我司供應(yīng)的產(chǎn)品包含SKhynix（海力士）的DRAM,NAND閃存,嵌入式存儲(chǔ)eMMC，eMCP等全系列存儲(chǔ)產(chǎn)品。

DDR3

DDR3是繼DDR2以及更早的DDR內(nèi)存技術(shù)之后的新一代產(chǎn)品，該產(chǎn)品將打破千兆赫速度的局限性，將內(nèi)存速度提升到一個(gè)前所未有的水平。DDR3內(nèi)存的特點(diǎn)是更快的速度、更高的數(shù)據(jù)帶寬、更低的工作電壓和功耗，以及更好的散熱性能。DDR3內(nèi)存設(shè)計(jì)的目的是支持需要更高數(shù)據(jù)帶寬的下一代四核處理器，使其性能更出色。DDR3內(nèi)存模塊分為1066MHz、1333MHz和1600MHz三種頻率（數(shù)據(jù)傳輸速率），其中1066MHz和1333MHz DDR3于2007年全面面市，1600MHz DDR3計(jì)劃于2008年正式推出。在針腳定義方面，DDR3表現(xiàn)出很強(qiáng)的獨(dú)立性，甚至敢于徹底拋棄TSOPII與mBGA封裝形式，采用更為先進(jìn)的FBGA封裝。DDR III內(nèi)存用了0.08微米制造工藝制造，將工作在1.5V的電壓下。

價(jià)格說明

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